Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для FQPF9N50CF

FQPF9N50CF

  • fqpf9n50cf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F Серия: FRFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1030pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF9N25CT

FQPF9N25CT

  • fqpf9n25ct
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 4.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 710pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF9N15

FQPF9N15

  • fqpf9n15
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 150V 6.9A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 3.45A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 410pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF9N25

FQPF9N25

  • fqpf9n25
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 6.7A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 3.35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 700pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF9N25C

FQPF9N25C

  • fqpf9n25c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 4.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 710pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF9N08

FQPF9N08

  • fqpf9n08
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 80V 7A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF9N08L

FQPF9N08L

  • fqpf9n08l
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 80V 7A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.1nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 280pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF8N80C

FQPF8N80C

  • fqpf8n80c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55 Ohm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2050pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF90N10V2

FQPF90N10V2

  • fqpf90n10v2
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 90A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 45A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 191nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6150pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF8N80CYDTU

FQPF8N80CYDTU

  • fqpf8n80cydtu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55 Ohm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2050pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF8P10

FQPF8P10

  • fqpf8p10
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 100V 5.3A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 2.65A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 470pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF8N90C

FQPF8N90C

  • fqpf8n90c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 900V 6.3A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 3.15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2080pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF8N60CYDTU

FQPF8N60CYDTU

  • fqpf8n60cydtu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1255pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF8N60C

FQPF8N60C

  • fqpf8n60c
  • Fairchild Semiconductor, Fairchild
  • MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1255pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF85N06

FQPF85N06

  • fqpf85n06
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 53A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 26.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 112nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 53A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4120pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF7P06

FQPF7P06

  • fqpf7p06
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 60V 5.3A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410 mOhm @ 2.65A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 295pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF7N80C

FQPF7N80C

  • fqpf7n80c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 3.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1680pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF7N60

FQPF7N60

  • fqpf7n60
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1430pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF7P20

FQPF7P20

  • fqpf7p20
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 200V 5.2A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690 mOhm @ 2.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 770pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF7N40

FQPF7N40

  • fqpf7n40
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 400V 4.6A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 780pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь