Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для FQPF7N65C

FQPF7N65C

  • fqpf7n65c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 650V 7A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 3.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 650V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1245pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF7N80

FQPF7N80

  • fqpf7n80
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 800V 3.8A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1850pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF7N20L

FQPF7N20L

  • fqpf7n20l
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 5A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 500pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF7N20

FQPF7N20

  • fqpf7n20
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 4.8A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690 mOhm @ 2.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 400pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF7N10L

FQPF7N10L

  • fqpf7n10l
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 5.5A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 2.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 290pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF7N10

FQPF7N10

  • fqpf7n10
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 5.5A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 2.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF6N80CT

FQPF6N80CT

  • fqpf6n80ct
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 2.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1310pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF6N80

FQPF6N80

  • fqpf6n80
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 800V 3.3A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95 Ohm @ 1.65A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF6N80C

FQPF6N80C

  • fqpf6n80c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 2.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1310pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF6N90

FQPF6N90

  • fqpf6n90
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 900V 3.4A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 1.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1880pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF6N80T

FQPF6N80T

  • fqpf6n80t
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 800V 3.3A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95 Ohm @ 1.65A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF70N10

FQPF70N10

  • fqpf70n10
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 35A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 17.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3300pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF6N90C

FQPF6N90C

  • fqpf6n90c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 900V 6A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 Ohm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1770pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF6P25

FQPF6P25

  • fqpf6p25
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 250V 4.2A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 2.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 780pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF6N60C

FQPF6N60C

  • fqpf6n60c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 2.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 810pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF6N70

FQPF6N70

  • fqpf6n70
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 700V 3.5A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 700V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF6N60

FQPF6N60

  • fqpf6n60
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1000pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF6N40CT

FQPF6N40CT

  • fqpf6n40ct
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 400V 6A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 625pF @ 25V · FE

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF6N50

FQPF6N50

  • fqpf6n50
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 3.6A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 1.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 790pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF65N06

FQPF65N06

  • fqpf65n06
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 40A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2410pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь