Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
FQU12N20TU
- fqu12n20tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 9A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 910pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQT7N10TF
- fqt7n10tf
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 850mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQT7N10LTF
- fqt7n10ltf
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 850mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 290pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQT5P10TF
- fqt5p10tf
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQT4N20TF
- fqt4n20tf
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 425mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 850mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 220pf @ 25V · FET P
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQT4N25TF
- fqt4n25tf
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 250V 0.83A SOT-223 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75 Ohm @ 415mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 830mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 200
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQT3P20TF
- fqt3p20tf
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 335mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 670mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQT2P25TF
- fqt2p25tf
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 250V 0.55A SOT-223 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 275mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 550mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQT4N20LTF
- fqt4n20ltf
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35 Ohm @ 425mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 850mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 310p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQT13N06TF
- fqt13n06tf
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 310pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQT13N06LTF
- fqt13n06ltf
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 1.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.4nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQS4410TF
- fqs4410tf
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1280pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQPF9N50T
- fqpf9n50t
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 5.3A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730 mOhm @ 2.65A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1450pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQPF9N50CT
- fqpf9n50ct
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1030pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQPF9P25
- fqpf9p25
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 250V 6A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1180pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQPF9N30
- fqpf9n30
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 300V 6A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 740pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQPF9N90C
- fqpf9n90c
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 900V 8A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 58nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2730pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQPF9N50YDTU
- fqpf9n50ydtu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 5.3A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730 mOhm @ 2.65A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1450pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQPF9N50C
- fqpf9n50c
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 4.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1030pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQPF9N50
- fqpf9n50
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 5.3A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730 mOhm @ 2.65A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1450pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК