Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для FQU2N60TU

FQU2N60TU

  • fqu2n60tu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 2A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 Ohm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @ 25V · FET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQU2N60CTU

FQU2N60CTU

  • fqu2n60ctu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 Ohm @ 950mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 235pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQU2N80TU

FQU2N80TU

  • fqu2n80tu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 800V 1.8A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 Ohm @ 900mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 550pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQU2N50BTU

FQU2N50BTU

  • fqu2n50btu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 Ohm @ 800mA , 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 230pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQU2N100TU

FQU2N100TU

  • fqu2n100tu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 800mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 52

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQU20N06TU

FQU20N06TU

  • fqu20n06tu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 16.8A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63 mOhm @ 8.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 590pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQU1N60TU

FQU1N60TU

  • fqu1n60tu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 1A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 150pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQU20N06LTU

FQU20N06LTU

  • fqu20n06ltu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 8.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 630pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQU1N50TU

FQU1N50TU

  • fqu1n50tu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 1.1A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 550mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 150pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQU1N80TU

FQU1N80TU

  • fqu1n80tu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 800V 1A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 195pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQU1N60CTU

FQU1N60CTU

  • fqu1n60ctu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 1A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5 Ohm @ 500mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 170pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQU17P06TU

FQU17P06TU

  • fqu17p06tu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 60V 12A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 900pF @ 25V · FE

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQU13N10TU

FQU13N10TU

  • fqu13n10tu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 10A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 450pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQU10N20CTU

FQU10N20CTU

  • fqu10n20ctu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 3.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 510pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQU13N06LTU

FQU13N06LTU

  • fqu13n06ltu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 11A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 5.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.4nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQU13N10LTU

FQU13N10LTU

  • fqu13n10ltu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 10A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 520pF @ 25V · F

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQU13N06TU

FQU13N06TU

  • fqu13n06tu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 10A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 310pF @ 25V · F

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQU11P06TU

FQU11P06TU

  • fqu11p06tu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 4.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 550pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQU10N20LTU

FQU10N20LTU

  • fqu10n20ltu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 3.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 830pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQU10N20TU

FQU10N20TU

  • fqu10n20tu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 3.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 670pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь