Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для FQPF5N20L

FQPF5N20L

  • fqpf5n20l
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 3.5A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 1.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.2nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 325pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF4P40

FQPF4P40

  • fqpf4p40
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 400V 2.4A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 Ohm @ 1.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 680pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF50N06L

FQPF50N06L

  • fqpf50n06l
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 32.6A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 16.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1630pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF50N06

FQPF50N06

  • fqpf50n06
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 31A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 15.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 41nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 31A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1540pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF55N10

FQPF55N10

  • fqpf55n10
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 34.2A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 17.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 98nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 34.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2730p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF5N15

FQPF5N15

  • fqpf5n15
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 150V 4.2A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 230pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF4N90C

FQPF4N90C

  • fqpf4n90c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 900V 4A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 Ohm @ 2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 960pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF4N90

FQPF4N90

  • fqpf4n90
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 Ohm @ 1.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1100pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF4N80

FQPF4N80

  • fqpf4n80
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 800V 2.2A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 880pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF4N25

FQPF4N25

  • fqpf4n25
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 2.8A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75 Ohm @ 1.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 200pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF4N60

FQPF4N60

  • fqpf4n60
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 2.6A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 1.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 670pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF4N50

FQPF4N50

  • fqpf4n50
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 2.3A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 1.15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 460pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF44N10

FQPF44N10

  • fqpf44n10
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 27A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 13.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 62nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 27A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1800pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF4N20

FQPF4N20

  • fqpf4n20
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 2.8A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 1.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 220pf @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF46N15

FQPF46N15

  • fqpf46n15
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 150V 25.6A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 12.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3250

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF4N20L

FQPF4N20L

  • fqpf4n20l
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 3A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35 Ohm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 310pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF45N15V2

FQPF45N15V2

  • fqpf45n15v2
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 150V 45A TO-TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 22.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 94nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 45A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3030pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF47P06

FQPF47P06

  • fqpf47p06
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 60V 30A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 30A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3600pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF44N08T

FQPF44N08T

  • fqpf44n08t
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 80V 25A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 12.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1430pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF44N08

FQPF44N08

  • fqpf44n08
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 80V 25A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 12.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1430pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь