Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для FQPF3P50

FQPF3P50

  • fqpf3p50
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 500V 1.9A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 Ohm @ 950mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 660pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF3P20

FQPF3P20

  • fqpf3p20
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 200V 2.2A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 1.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF3N80CYDTU

FQPF3N80CYDTU

  • fqpf3n80cydtu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 800V 3A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 Ohm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 705pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF3N90

FQPF3N90

  • fqpf3n90
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 900V 2.1A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25 Ohm @ 1.05A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 910pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF3N40

FQPF3N40

  • fqpf3n40
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 400V 1.6A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 Ohm @ 800mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 230pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF3N30

FQPF3N30

  • fqpf3n30
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 300V 1.95A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 980mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.95A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 230pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF3N60

FQPF3N60

  • fqpf3n60
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 2A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 450pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF3N80

FQPF3N80

  • fqpf3n80
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 900mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 690pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF3N80C

FQPF3N80C

  • fqpf3n80c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 800V 3A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 Ohm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 705pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF34N20L

FQPF34N20L

  • fqpf34n20l
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 17.5A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 8.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 72nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3900pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF3N25

FQPF3N25

  • fqpf3n25
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 2.3A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 1.15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 170pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF34N20

FQPF34N20

  • fqpf34n20
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 17.5A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 8.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 78nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3100p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF33N10L

FQPF33N10L

  • fqpf33n10l
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1630pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF33N10

FQPF33N10

  • fqpf33n10
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 51nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF2P25

FQPF2P25

  • fqpf2p25
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 250V 1.8A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 900mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF2NA90

FQPF2NA90

  • fqpf2na90
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 Ohm @ 850mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 680pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF30N06L

FQPF30N06L

  • fqpf30n06l
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 22.5A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 11.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1040pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF2P40

FQPF2P40

  • fqpf2p40
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 400V 1.34A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 Ohm @ 670mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.34A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF30N06

FQPF30N06

  • fqpf30n06
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 21A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 10.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 945pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF32N20C

FQPF32N20C

  • fqpf32n20c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 28A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 28A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2220pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь