Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для FQPF32N12V2

FQPF32N12V2

  • fqpf32n12v2
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 120V 32A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 120V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1860pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF2N80

FQPF2N80

  • fqpf2n80
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 800V 1.5A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 Ohm @ 750mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 550pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF2N90

FQPF2N90

  • fqpf2n90
  • Fairchild Semiconductor, Fairchild
  • MOSFET N-CH 900V 1.4A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 Ohm @ 700mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 500pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF2N70

FQPF2N70

  • fqpf2n70
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 700V 2A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 Ohm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 700V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF2N60C

FQPF2N60C

  • fqpf2n60c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 2A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 Ohm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 235pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF2N30

FQPF2N30

  • fqpf2n30
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 300V 1.34A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 670mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.34A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 130pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF28N15

FQPF28N15

  • fqpf28n15
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 150V 16.7A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 8.35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1600p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF2N60

FQPF2N60

  • fqpf2n60
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 1.6A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 Ohm @ 800mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF28N15T

FQPF28N15T

  • fqpf28n15t
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 150V 16.7A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 8.35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1600p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF2N50

FQPF2N50

  • fqpf2n50
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 1.3A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 Ohm @ 650mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 230pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF27N25T

FQPF27N25T

  • fqpf27n25t
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 14A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2450pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF2N40

FQPF2N40

  • fqpf2n40
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 400V 1.1A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 Ohm @ 550mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 150pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF27P06

FQPF27P06

  • fqpf27p06
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 60V 17A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 8.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 43nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF27N25

FQPF27N25

  • fqpf27n25
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 14A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2450pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF22N30

FQPF22N30

  • fqpf22n30
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 300V 12A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2200pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF22P10

FQPF22P10

  • fqpf22p10
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 100V 13.2A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 6.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF20N06L

FQPF20N06L

  • fqpf20n06l
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 15.7A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 7.85A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 630pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF19N20C

FQPF19N20C

  • fqpf19n20c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 19A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 9.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1080pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF1P50

FQPF1P50

  • fqpf1p50
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 500V 1.03A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 Ohm @ 515mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.03A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF1N50

FQPF1N50

  • fqpf1n50
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 900MA TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 450mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 900mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 150pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь