Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
FQPF20N06
- fqpf20n06
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 15A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 590pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQPF19N20
- fqpf19n20
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 11.8A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 5.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1600p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQPF1N60
- fqpf1n60
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 900MA TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5 Ohm @ 450mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 900mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 150pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQPF19N20T
- fqpf19n20t
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 11.8A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 5.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1600p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQPF19N10L
- fqpf19n10l
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 6.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 870pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQPF1N60T
- fqpf1n60t
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 900MA TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5 Ohm @ 450mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 900mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 150pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQPF19N10
- fqpf19n10
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 6.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 780pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQPF18N50V2
- fqpf18n50v2
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 18A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3290pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQPF18N20V2
- fqpf18n20v2
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 18A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1080pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQPF17N40T
- fqpf17n40t
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 400V 9.5A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 4.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2300pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQPF16N25
- fqpf16n25
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 250V 9.5A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 4.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQPF17N08L
- fqpf17n08l
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 80V 11.2A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 5.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 520pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQPF17P10
- fqpf17p10
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 100V 10.5A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 5.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1100
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQPF16N25C
- fqpf16n25c
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 250V 15.6A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 7.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 108
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQPF17N40
- fqpf17n40
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 400V 9.5A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 4.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2300pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQPF17P06
- fqpf17p06
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 60V 12A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 900pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQPF17N08
- fqpf17n08
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 80V 11.2A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 5.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 450pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQPF16N15
- fqpf16n15
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 16.4A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 5.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 910pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQPF15P12
- fqpf15p12
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 120V 15A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 120V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1100pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQPF14N30
- fqpf14n30
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 300V 8.5A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 4.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1360pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК