Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для FQPF13N06L

FQPF13N06L

  • fqpf13n06l
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 10A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.4nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF13N50C

FQPF13N50C

  • fqpf13n50c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 13A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 6.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2055pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF13N10L

FQPF13N10L

  • fqpf13n10l
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 8.7A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 4.35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 520pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF14N15

FQPF14N15

  • fqpf14n15
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 150V 9.8A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 4.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 715pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF13N50CSDTU

FQPF13N50CSDTU

  • fqpf13n50csdtu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 13A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 6.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2055pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF13N10

FQPF13N10

  • fqpf13n10
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 8.7A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 4.35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 450pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF13N50T

FQPF13N50T

  • fqpf13n50t
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 12.5A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 6.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2300

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF13N50

FQPF13N50

  • fqpf13n50
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 12.5A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 6.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2300

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF13N50CF

FQPF13N50CF

  • fqpf13n50cf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 13A TO-220F Серия: FRFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 6.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2055pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF13N06

FQPF13N06

  • fqpf13n06
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 9.4A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 4.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 310pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF12P20XDTU

FQPF12P20XDTU

  • fqpf12p20xdtu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 200V 7.3A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470 mOhm @ 3.65A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF12N60C

FQPF12N60C

  • fqpf12n60c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 12A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 63nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2290pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF12N60CT

FQPF12N60CT

  • fqpf12n60ct
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 12A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 63nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2290pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF12P20

FQPF12P20

  • fqpf12p20
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 200V 7.3A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470 mOhm @ 3.65A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF11P06

FQPF11P06

  • fqpf11p06
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 60V 8.6A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 4.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 550pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF11N40CT

FQPF11N40CT

  • fqpf11n40ct
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 400V 10.5A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 5.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1090

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF12P10

FQPF12P10

  • fqpf12p10
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 100V 8.2A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 4.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 800pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF12N60T

FQPF12N60T

  • fqpf12n60t
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 5.8A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 2.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 54nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1900pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF12N60

FQPF12N60

  • fqpf12n60
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 5.8A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 2.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 54nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1900pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQPF11N40C

FQPF11N40C

  • fqpf11n40c
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 400V 10.5A TO-220F Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 5.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1090

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь