Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для FQI6N60CTU

FQI6N60CTU

  • fqi6n60ctu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 2.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 810pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQI6N40CTU

FQI6N40CTU

  • fqi6n40ctu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 400V 6A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 625pF @ 25V · FET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQI6N15TU

FQI6N15TU

  • fqi6n15tu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 150V 6.4A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 270pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQI5N20LTU

FQI5N20LTU

  • fqi5n20ltu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 4.5A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.2nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 325pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQI5N20TU

FQI5N20TU

  • fqi5n20tu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 4.5A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 270pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQI5P10TU

FQI5P10TU

  • fqi5p10tu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 100V 4.5A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 2.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQI5N30TU

FQI5N30TU

  • fqi5n30tu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 300V 5.4A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 2.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 430pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQI5N40TU

FQI5N40TU

  • fqi5n40tu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 400V 4.5A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 2.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 460pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQI5N50CTU

FQI5N50CTU

  • fqi5n50ctu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 625pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQI5N80TU

FQI5N80TU

  • fqi5n80tu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 800V 4.8A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 Ohm @ 2.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1250pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQI5N60CTU

FQI5N60CTU

  • fqi5n60ctu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 2.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 670pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQI5N15TU

FQI5N15TU

  • fqi5n15tu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 150V 5.4A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 230pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQI50N06TU

FQI50N06TU

  • fqi50n06tu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 50A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 41nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1540pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQI50N06LTU

FQI50N06LTU

  • fqi50n06ltu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 26.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 52.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1630pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQI4N20TU

FQI4N20TU

  • fqi4n20tu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 3.6A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 1.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 220pf @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQI4P40TU

FQI4P40TU

  • fqi4p40tu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 400V 3.5A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 Ohm @ 1.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 680pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQI4N80TU

FQI4N80TU

  • fqi4n80tu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1.95A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 880pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQI4N90TU

FQI4N90TU

  • fqi4n90tu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 Ohm @ 2.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQI4N25TU

FQI4N25TU

  • fqi4n25tu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 250V 3.6A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75 Ohm @ 1.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 200pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQI4N20LTU

FQI4N20LTU

  • fqi4n20ltu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 3.8A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35 Ohm @ 1.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 310pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь