Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
FQI3P50TU
- fqi3p50tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 500V 2.7A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 Ohm @ 1.35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 660pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQI47P06TU
- fqi47p06tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 60V 47A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 23.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 47A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3600pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQI3P20TU
- fqi3p20tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 200V 2.8A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 1.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQI3N90TU
- fqi3n90tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 900V 3.6A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25 Ohm @ 1.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 910pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQI3N80TU
- fqi3n80tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 800V 3A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 1.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 690pF @ 25V · FE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQI32N20CTU
- fqi32n20ctu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 28A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 28A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2220pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQI3N40TU
- fqi3n40tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 400V 2.5A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 Ohm @ 1.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 230pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQI32N12V2TU
- fqi32n12v2tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 120V 32A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 120V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 32A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1860pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQI2P25TU
- fqi2p25tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 250V 2.3A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1.15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 250pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQI3N25TU
- fqi3n25tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 250V 2.8A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 1.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 170pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQI2NA90TU
- fqi2na90tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 900V 2.8A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 Ohm @ 1.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 680pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQI3N30TU
- fqi3n30tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 300V 3.2A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 1.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 230pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQI2N80TU
- fqi2n80tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 800V 2.4A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 Ohm @ 900mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 550pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQI2N90TU
- fqi2n90tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 900V 2.2A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 Ohm @ 1.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 500pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQI2N30TU
- fqi2n30tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 300V 2.1A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 1.05A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 130pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQI1P50TU
- fqi1p50tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 500V 1.5A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 Ohm @ 750mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQI27P06TU
- fqi27p06tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 60V 27A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 13.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 43nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 27A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQI27N25TU
- fqi27n25tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 12.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2450p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQI17N08TU
- fqi17n08tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 80V 16.5A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 8.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 450pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQI19N20TU
- fqi19n20tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 19.4A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 9.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1600pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК