Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
FQI16N25CTU
- fqi16n25ctu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 250V 15.6A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 7.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1080p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQI19N20CTU
- fqi19n20ctu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 19A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 9.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1080pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQI17P06TU
- fqi17p06tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 60V 17A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 8.5A,10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 900pF @ 25V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQI17N08LTU
- fqi17n08ltu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 80V 16.5A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 8.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 520pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQI15P12TU
- fqi15p12tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 120V 15A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 7.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 120V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQI13N50CTU
- fqi13n50ctu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 6.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2055pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQI13N06TU
- fqi13n06tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 13A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 6.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 310pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQI12N60TU
- fqi12n60tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 5.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 54nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1900pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQI13N06LTU
- fqi13n06ltu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 13.6A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 6.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.4nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQI12N50TU
- fqi12n50tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 12.1A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490 mOhm @ 6.05A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 51nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2020pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQI11P06TU
- fqi11p06tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 60V 11.4A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 5.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 550pF @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQI10N20CTU
- fqi10n20ctu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 9.5A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 4.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 510pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQI12N60CTU
- fqi12n60ctu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 12A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 63nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2290pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQI10N60CTU
- fqi10n60ctu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730 mOhm @ 4.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 57nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2040pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQI11N40TU
- fqi11n40tu
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 400V 11.4A I2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 5.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 25V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQH90N15
- fqh90n15
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 90A TO-247 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 45A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 285nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8700pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQH70N10
- fqh70n10
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 70A TO-247 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 70A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3300pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQH8N100C
- fqh8n100c
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45 Ohm @ 4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3220pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQH44N10
- fqh44n10
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 48A TO-247 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 24A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 62nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 48A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1800pF @ 25V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQH18N50V2
- fqh18n50v2
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3290pF @ 25
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК