Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для FQD2P40TF

FQD2P40TF

  • fqd2p40tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 Ohm @ 780mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.56A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD2N90TM

FQD2N90TM

  • fqd2n90tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 Ohm @ 850mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 900V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 500pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD2N80TM

FQD2N80TM

  • fqd2n80tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 Ohm @ 900mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 550pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD2N80TF

FQD2N80TF

  • fqd2n80tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 Ohm @ 900mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 800V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 550pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD2N60CTF

FQD2N60CTF

  • fqd2n60ctf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 Ohm @ 950mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 235pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD2N50TF

FQD2N50TF

  • fqd2n50tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 Ohm @ 800mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 230pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD2N60TF

FQD2N60TF

  • fqd2n60tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 2A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 Ohm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @ 25V · FET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD2N60TM

FQD2N60TM

  • fqd2n60tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 2A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 Ohm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @ 25V · FET

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD2N50TM

FQD2N50TM

  • fqd2n50tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 Ohm @ 800mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 230pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD2N60CTM

FQD2N60CTM

  • fqd2n60ctm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 Ohm @ 950mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 235pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD2N40TM

FQD2N40TM

  • fqd2n40tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 400V 1.4A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 Ohm @ 700mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 150pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD2N40TF

FQD2N40TF

  • fqd2n40tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 400V 1.4A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 Ohm @ 700mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 150pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD2N100TM

FQD2N100TM

  • fqd2n100tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 800mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 52

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD2N30TM

FQD2N30TM

  • fqd2n30tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 300V 1.7A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 850mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 130pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD24N08TM

FQD24N08TM

  • fqd24n08tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 9.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 750pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD2N100TF

FQD2N100TF

  • fqd2n100tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 800mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 1.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 52

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD24N08TF

FQD24N08TF

  • fqd24n08tf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 9.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 750pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD20N06TM

FQD20N06TM

  • fqd20n06tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63 mOhm @ 8.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 590pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD20N06LTM

FQD20N06LTM

  • fqd20n06ltm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 8.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 630pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQD20N06LTF

FQD20N06LTF

  • fqd20n06ltf
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 8.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 630pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь