Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для FQB14N30TM

FQB14N30TM

  • fqb14n30tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 300V 14.4A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 7.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1360pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQB13N06TM

FQB13N06TM

  • fqb13n06tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 13A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 6.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 310pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQB13N50CTM

FQB13N50CTM

  • fqb13n50ctm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 13A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 6.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2055pF @ 25

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQB14N15TM

FQB14N15TM

  • fqb14n15tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 150V 14.4A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 7.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 715pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQB13N10LTM

FQB13N10LTM

  • fqb13n10ltm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 6.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 520pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQB13N10TM

FQB13N10TM

  • fqb13n10tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 6.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 450pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQB13N06LTM

FQB13N06LTM

  • fqb13n06ltm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 13.6A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 6.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.4nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 350pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQB12P20TM

FQB12P20TM

  • fqb12p20tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470 mOhm @ 5.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1200pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQB12P10TM

FQB12P10TM

  • fqb12p10tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 100V 11.5A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 5.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 800pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQB12N60CTM

FQB12N60CTM

  • fqb12n60ctm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 63nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2290pF @ 25V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQB12N60TM_AM002

FQB12N60TM_AM002

  • fqb12n60tm.am002
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 10.5A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 5.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 54nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1900pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQB11P06TM

FQB11P06TM

  • fqb11p06tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 5.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 550pF @ 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQB11N40TM

FQB11N40TM

  • fqb11n40tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 5.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 25V · FET Pol

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQB12N50TM_AM002

FQB12N50TM_AM002

  • fqb12n50tm.am002
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 500V 12.1A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490 mOhm @ 6.05A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 500V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 51nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2020pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQB11N40CTM

FQB11N40CTM

  • fqb11n40ctm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 400V 10.5A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 5.25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1090pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQB10N20TM

FQB10N20TM

  • fqb10n20tm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 670pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQB10N20CTM

FQB10N20CTM

  • fqb10n20ctm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 4.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 510pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQB10N60CTM

FQB10N60CTM

  • fqb10n60ctm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 9.5A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730 mOhm @ 4.75A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 600V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 57nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2040pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQB10N20LTM

FQB10N20LTM

  • fqb10n20ltm
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 200V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 830pF @ 25V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FQAF9P25

FQAF9P25

  • fqaf9p25
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 250V 7.1A TO-3P Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 3.55A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 250V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1180pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь