Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для FDU8878

FDU8878

  • fdu8878
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 40A I-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 880pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDU8876

FDU8876

  • fdu8876
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 73A I-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 47nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 73A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1700pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDU8778

FDU8778

  • fdu8778
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 845pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDU8874

FDU8874

  • fdu8874
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 116A I-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 72nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 116A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2990p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDU8870

FDU8870

  • fdu8870
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 160A I-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 118nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 160A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5160

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDU8796

FDU8796

  • fdu8796
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2610pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDU8770

FDU8770

  • fdu8770
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 73nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3720pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDU8782

FDU8782

  • fdu8782
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1220pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDU8780

FDU8780

  • fdu8780
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1440pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDU8586

FDU8586

  • fdu8586
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 48nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2480pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDU8580

FDU8580

  • fdu8580
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1445pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDU7030BL

FDU7030BL

  • fdu7030bl
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 14A I-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1425pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDU6680

FDU6680

  • fdu6680
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 12A IPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1230pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDU6688

FDU6688

  • fdu6688
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 84A I-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 18A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 84A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3845pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDU6612A

FDU6612A

  • fdu6612a
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 9.5A I-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 9.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.4nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 660pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDU6676AS

FDU6676AS

  • fdu6676as
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 90A IPAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 64nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 90A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2470pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDU6296

FDU6296

  • fdu6296
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 15A I-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1440p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDU6512A

FDU6512A

  • fdu6512a
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 20V 10.7A I-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 10.7A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDU6030BL

FDU6030BL

  • fdu6030bl
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 10A I-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1143pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDU3N40TU

FDU3N40TU

  • fdu3n40tu
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 400V 2A IPAK Серия: UniFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 Ohm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 400V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 225pF @ 25V · FE

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь