Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

FDU3706

  • fdu3706
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 20V 14.7A I-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 16.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 18

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDU3580

  • fdu3580
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 80V 7.7A I-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 7.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 79nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1760p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDT461N

  • fdt461n
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 0.54A SOT-223 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 540mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 540mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDU2572

  • fdu2572
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 150V 29A I-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 29A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1770pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDU068AN03L

  • fdu068an03l
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2525pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDU044AN03L

  • fdu044an03l
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 118nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5160pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDT86106LZ

  • fdt86106lz
  • GLENAIR

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDT459N

  • fdt459n
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT-223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 365pF @ 15V · FET Polarit

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDT458P

  • fdt458p
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT-223 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDT457N

  • fdt457n
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 5A SOT-223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.9nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 235pF @ 15V · FET Polarity: N-C

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDT434P

  • fdt434p
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 20V 6A SOT-223 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1187pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDT439N

  • fdt439n
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT-223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 6.3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 500pF @ 15V · FET Polar

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDT3612

  • fdt3612
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT-223 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDS9435A

  • fds9435a
  • Fairchild Semiconductor, Fairchild
  • MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 528p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDS9431A

  • fds9431a
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 405pF @ 10V · FET Polar

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDS9412

  • fds9412
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 830pF @ 15V · FET Polarity:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDS9400A

  • fds9400a
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 30V 3.4A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 205pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDS8878

  • fds8878
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 10.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 89

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDS8884

  • fds8884
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 8.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 635p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDS8896

  • fds8896
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 67nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2525pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь