Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
FDU3706
- fdu3706
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 14.7A I-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 16.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 18
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDU3580
- fdu3580
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 80V 7.7A I-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 7.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 79nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1760p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDT461N
- fdt461n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 0.54A SOT-223 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 540mA, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 540mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDU2572
- fdu2572
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 150V 29A I-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 29A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1770pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDU068AN03L
- fdu068an03l
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2525pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDU044AN03L
- fdu044an03l
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 118nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 35A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5160pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDT86106LZ
- fdt86106lz
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDT459N
- fdt459n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT-223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 365pF @ 15V · FET Polarit
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDT458P
- fdt458p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT-223 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDT457N
- fdt457n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 5A SOT-223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.9nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 235pF @ 15V · FET Polarity: N-C
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDT434P
- fdt434p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 6A SOT-223 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1187pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDT439N
- fdt439n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT-223 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 6.3A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 500pF @ 15V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDT3612
- fdt3612
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT-223 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDS9435A
- fds9435a
- Fairchild Semiconductor, Fairchild
- MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 528p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDS9431A
- fds9431a
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 405pF @ 10V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDS9412
- fds9412
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 830pF @ 15V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDS9400A
- fds9400a
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 3.4A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.5nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 205pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDS8878
- fds8878
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 10.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 89
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDS8884
- fds8884
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 8.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 635p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDS8896
- fds8896
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 15A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 67nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2525pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК