Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

FDZ7296

  • fdz7296
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 11A BGA Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1520pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDZ7064N

  • fdz7064n
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 13.5A BGA Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 14.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 43nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3843

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDZ7064AS

  • fdz7064as
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 13.5A BGA Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 13.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 51nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 196

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDZ5047N

  • fdz5047n
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 22A BGA Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 22A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 73nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4993pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDZ493P

  • fdz493p
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 20V 4.6A 9-BGA Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 754

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDZ298N

  • fdz298n
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 20V 6A BGA Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 680pF @ 10V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDZ4670S

  • fdz4670s
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 25A 20FLFBGA Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 69nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3845

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDZ299P

  • fdz299p
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 742pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDZ4670

  • fdz4670
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 25A FLFBGA 3.5X4 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDZ294N

  • fdz294n
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 20V 6A 9-BGA Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 670pF @ 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDZ291P

  • fdz291p
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1010p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDZ293P

  • fdz293p
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 754pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDZ202P

  • fdz202p
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 20V 5.5A BGA Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 884pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDZ203N

  • fdz203n
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 20V 7.5A BGA Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1127p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDZ206P

  • fdz206p
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 20V 13A BGA Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 13A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4280pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDZ204P

  • fdz204p
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 20V 4.5A BGA Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 884pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDZ191P

  • fdz191p
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 20V 3A BGA 2X2 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 800pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDZ209N

  • fdz209n
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 4A 12-BGA Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 657pF @ 30V ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDZ208P

  • fdz208p
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 30V 12.5A BGA Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 12.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 240

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDZ193P

  • fdz193p
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 20V 3A 8-WLCSP Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 660pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь