Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
FDZ7296
- fdz7296
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 11A BGA Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1520pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDZ7064N
- fdz7064n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 13.5A BGA Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 14.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 43nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3843
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDZ7064AS
- fdz7064as
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 13.5A BGA Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 13.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 51nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 196
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDZ5047N
- fdz5047n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 22A BGA Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 22A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 73nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 22A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4993pF @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDZ493P
- fdz493p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 4.6A 9-BGA Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 754
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDZ298N
- fdz298n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 6A BGA Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 680pF @ 10V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDZ4670S
- fdz4670s
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 25A 20FLFBGA Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 69nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3845
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDZ299P
- fdz299p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 742pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDZ4670
- fdz4670
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 25A FLFBGA 3.5X4 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 25A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 25A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDZ294N
- fdz294n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 6A 9-BGA Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 670pF @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDZ291P
- fdz291p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1010p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDZ293P
- fdz293p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.6A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 754pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDZ202P
- fdz202p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 5.5A BGA Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 884pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDZ203N
- fdz203n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 7.5A BGA Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1127p
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDZ206P
- fdz206p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 13A BGA Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 13A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4280pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDZ204P
- fdz204p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 4.5A BGA Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 884pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDZ191P
- fdz191p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 3A BGA 2X2 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 800pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDZ209N
- fdz209n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 60V 4A 12-BGA Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4A, 5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 657pF @ 30V ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDZ208P
- fdz208p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 12.5A BGA Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 12.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 240
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDZ193P
- fdz193p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 3A 8-WLCSP Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 1A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 660pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК