Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
FDZ201N
- fdz201n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 9A BGA Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1127pF @ 10
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDW262P
- fdw262p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-TSSOP Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 4.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDY102PZ
- fdy102pz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 830mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 830mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vd
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDW264P
- fdw264p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 9.7A 8-TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 135nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7225pF @ 10V · FET Polar
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDW6923
- fdw6923
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-TSSOP Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 3.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDW258P
- fdw258p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 12V 9A 8-TSSOP Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 9A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 73nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5049pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDW254P
- fdw254p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 9.2A 8-TSSOP Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 9.2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 96nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDW256P
- fdw256p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 8A 8-TSSOP Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2267pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDW252P
- fdw252p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-TSSOP Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 8.8A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 66nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDW254PZ
- fdw254pz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 9.2A 8-TSSOP Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 9.2A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 96nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDV305N
- fdv305n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 0.9A SOT-23 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 900mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 900mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDV303N
- fdv303n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 680mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 50pF @ 10V · FET Po
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDV304P
- fdv304p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 25V 460MA SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 500mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 460mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 63pF @ 10V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDV302P
- fdv302p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 200mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.31nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11pF @ 10V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDV301N
- fdv301n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 220mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9.5pF @ 10V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDV302P_D87Z
- fdv302p.d87z
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 25V 0.12A SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 200mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.31nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 120mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11pF @ 10V · FET Pol
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDV301N_D87Z
- fdv301n.d87z
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 25V 0.22A SOT-23 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 220mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 9.5pF @ 10V · FET Pola
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDU8896
- fdu8896
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 94A I-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 94A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2525pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDU8882
- fdu8882
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 55A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1260pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDU8880
- fdu8880
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 58A I-PAK Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 35A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 58A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1260pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК