Полевые транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 22220
FDS7088SN3
- fds7088sn3
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 21A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3230pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDS7088N7
- fds7088n7
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 23A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 23A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 48nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3845pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDS7079ZN3
- fds7079zn3
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 16A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 55nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3630pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDS7088N3
- fds7088n3
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 21A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 48nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3845pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDS7066N7
- fds7066n7
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 23A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 23A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 69nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4973pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDS7082N3
- fds7082n3
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 17.5A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 17.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 53nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 17.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 22
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDS7066N3
- fds7066n3
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 23A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 23A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 69nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4973pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDS7064N7
- fds7064n7
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 16.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 48nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDS7066ASN3
- fds7066asn3
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 19A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 62nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2460pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDS7064SN3
- fds7064sn3
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2800pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDS7064N
- fds7064n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 16A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 48nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3355
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDS7060N7
- fds7060n7
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 19A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 19A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3274pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDS6699S
- fds6699s
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 21A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 91nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3610pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDS6694
- fds6694
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1293pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDS6692A
- fds6692a
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1610pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDS6690A
- fds6690a
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1205pF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDS6690AS
- fds6690as
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 910pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDS6689S
- fds6689s
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 78nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3290pF @ 15V · FET Polarity:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDS6688S
- fds6688s
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 78nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3290pF @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDS6688
- fds6688
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 16A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3888pF @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.
Применение
Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
- Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
- Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
Совместимость
Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.
Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК