Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для FDS6685

FDS6685

  • fds6685
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1604pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDS6681Z

FDS6681Z

  • fds6681z
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 30V 20A SO-8 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7540pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDS6682

FDS6682

  • fds6682
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2310pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDS6680S

FDS6680S

  • fds6680s
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 11.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 20

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDS6680AS

FDS6680AS

  • fds6680as
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 11.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 12

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDS6680

FDS6680

  • fds6680
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 11.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 20

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDS6679Z

FDS6679Z

  • fds6679z
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 94nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3803pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDS6680A

FDS6680A

  • fds6680a
  • Fairchild Semiconductor, Fairchild
  • MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 12.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDS6679AZ

FDS6679AZ

  • fds6679az
  • Fairchild Semiconductor, Fairchild
  • MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 96nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3845pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDS6679

FDS6679

  • fds6679
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3939pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDS6675A

FDS6675A

  • fds6675a
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2330pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDS6675BZ

FDS6675BZ

  • fds6675bz
  • Fairchild Optoelectronics Grou
  • MOSFET P-CH 30V 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 62nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2470pF @ 15

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDS6675

FDS6675

  • fds6675
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 42nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3000pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDS6673BZ

FDS6673BZ

  • fds6673bz
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 14.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 124nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDS6673AZ

FDS6673AZ

  • fds6673az
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 14.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 118nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDS6670A

FDS6670A

  • fds6670a
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2220pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDS6670AS

FDS6670AS

  • fds6670as
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 13.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 154

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDS6672A

FDS6672A

  • fds6672a
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 14A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 46nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5070

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDS6630A

FDS6630A

  • fds6630a
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 6.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 460pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDS6614A

FDS6614A

  • fds6614a
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 9.3A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1160pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь