Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

Изображения для FDS6576

FDS6576

  • fds6576
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 11A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4044pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDS6612A

FDS6612A

  • fds6612a
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 8.4A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.6nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 560p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDS6575

FDS6575

  • fds6575
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 20V 10A SO-8 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 74nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4951pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDS6609A

FDS6609A

  • fds6609a
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 30V 6.3A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 930pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDS6572A

FDS6572A

  • fds6572a
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 16A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5914pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDS6574A

FDS6574A

  • fds6574a
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 16A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 105nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 16A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7657p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDS6570A

FDS6570A

  • fds6570a
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 20V 15A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 15A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 66nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4700pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDS6375

FDS6375

  • fds6375
  • Fairchild Semiconductor, Fairchild
  • MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 8A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2694pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDS6298

FDS6298

  • fds6298
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1108pF @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDS6299S

FDS6299S

  • fds6299s
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 21A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 81nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3880pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDS6294

FDS6294

  • fds6294
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1205pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDS6162N7

FDS6162N7

  • fds6162n7
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 20V 23A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 23A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 73nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5521

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDS6162N3

FDS6162N3

  • fds6162n3
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 20V 21A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 21A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 73nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 21A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5521

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDS6064N3

FDS6064N3

  • fds6064n3
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 20V 23A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 23A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 98nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7191pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDS5680

FDS5680

  • fds5680
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 8A SO-8 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 42nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1850pF @ 15V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDS6064N7

FDS6064N7

  • fds6064n7
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 20V 23A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 23A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 98nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 23A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 7191

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDS5690

FDS5690

  • fds5690
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1107pF @ 30

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDS5670

FDS5670

  • fds5670
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 10A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2900pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDS5672

FDS5672

  • fds5672
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 12A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2200pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для FDS5351

FDS5351

  • fds5351
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6.1A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 6.1A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1310

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь