Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Полевые транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 22220

FDS5170N7

  • fds5170n7
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 10.6A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 71nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10.6A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDS4780

  • fds4780
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 10.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDS4770

  • fds4770
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 40V 13.2A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 13.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 67nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDS4685

  • fds4685
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 8.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.2A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1872pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDS4675

  • fds4675
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 11A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4350pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDS4672A

  • fds4672a
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 40V 11A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 11A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 49nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 11A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4766pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDS4488

  • fds4488
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 7.9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 927pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDS4480

  • fds4480
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 10.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 41nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 16

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDS4470

  • fds4470
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 12.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 63nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 265

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDS4465

  • fds4465
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 13.5A, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13.5A · Input Capacitance (Ciss) @ Vd

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDS4435

  • fds4435
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1604p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDS4435BZ

  • fds4435bz
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8.8A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1845

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDS4435A

  • fds4435a
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2010pF @ 15

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDS4141

  • fds4141
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET P-CH 40V 10.8A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10.5A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 49nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDS4410

  • fds4410
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1340pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDS4072N7

  • fds4072n7
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 40V 12.4A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 13.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 46nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDS4080N7

  • fds4080n7
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 40V 13A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1750pF

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDS4080N3

  • fds4080n3
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 40V 13A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 13A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1750p

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDS4072N3

  • fds4072n3
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 40V 12.4A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 13.7A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 46nC @ 4.5V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12.4A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FDS4070N7

  • fds4070n7
  • Fairchild Semiconductor
  • MOSFET N-CH 40V 15.3A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 15.3A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 40V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 67nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15.3A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 28

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Полевые транзисторы — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов в различных электронных схемах. Эти транзисторы работают на основе полевого эффекта и являются ключевыми компонентами в современных электронных устройствах, обеспечивая высокую эффективность и надежность работы. Одиночные полевые транзисторы отличаются простотой конструкции, компактными размерами и широким диапазоном применения.

Применение

Одиночные полевые транзисторы находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в усилительных схемах для увеличения мощности и амплитуды сигналов в аудио и радио устройствах.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Импульсные источники питания: входят в состав схем управления и стабилизации напряжения в источниках питания для различных электронных устройств.
  • Системы управления двигателями: используются для управления скоростью и мощностью электродвигателей в промышленных и бытовых приложениях.
  • Автомобильная электроника: применяются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.

Совместимость

Одиночные полевые транзисторы совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные полевые транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Индивидуальные полевые транзисторы являются незаменимыми элементами для специалистов, работающих над созданием и совершенствованием различных систем. Они обеспечивают точное и стабильное управление потоками энергии в множестве устройств.

Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому диапазону применения, такие транзисторы находят применение в самых разных сферах, от автомобильной промышленности до телекоммуникаций. Их надежность и эффективность способствуют улучшению работы различных технологий, делая их важной составляющей современного оборудования.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь