Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
FDY2000PZ
- fdy2000pz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 20V SOT-563F Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 350mA · Емкость @ Vds: 100pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особеннос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDY2001PZ
- fdy2001pz
- Fairchild Semiconductor
- MSOFET P-CH DUAL 20V SOT-563F Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 150mA · Емкость @ Vds: 100pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDY3000NZ
- fdy3000nz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL SC89 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 600mA · Емкость @ Vds: 60pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDY3001NZ
- fdy3001nz
- Fairchild Semiconductor
- MSOFET N-CH DUAL 20V SOT-563F Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 200mA · Емкость @ Vds: 60pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS6990AS
- fds6990as
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET NCH DUAL 30V 7.5A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 5V · Ток @ 25°C: 7.5A · Емкость @ Vds: 550pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS6984AS
- fds6984as
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET SCHOTTKY N-CH DUAL 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 5.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5.5A, 8.5A · Емкость @ Vds: 420pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особе
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS4895C
- fds4895c
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N P-CH 40V 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 5.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5.5A, 4.4A · Емкость @ Vds: 410pF @ 20V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Ста
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDQ7238AS
- fdq7238as
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 30V 14-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2 mOhm @ 11A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 15V · Ток @ 25°C: 14A, 11A · Емкость @ Vds: 920pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенност
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMC3300NZA
- fdmc3300nza
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 8A POWER33 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 8A · Емкость @ Vds: 815pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDC6000NZ_F077
- fdc6000nz.f077
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 20V 7.3A 6-SSOP Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.3A · Емкость @ Vds: 840pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особеннос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FW907-TL-E
- fw907.tl.e
- ON Semiconductor
- N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FW906-TL-E
- fw906.tl.e
- ON Semiconductor
- N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FW282-TL-E
- fw282.tl.e
- ON Semiconductor
- N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQS4903TF
- fqs4903tf
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 500V 0.37A 8SOP Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 Ohm @ 185mA ,10V · Напряжение (Vdss): 500В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.2nC @ 10V · Ток @ 25°C: 370mA · Емкость @ Vds: 200pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: С
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQS4901TF
- fqs4901tf
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 400V 0.45A 8SOP Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 Ohm @ 225mA, 10V · Напряжение (Vdss): 400В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5 nC @ 10V · Ток @ 25°C: 450mA · Емкость @ Vds: 210pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQS4900TF
- fqs4900tf
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N/P-CH DUAL 60V 8SOP Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 650mA, 10V · Напряжение (Vdss): 60V, 300V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.1nC @ 5V · Ток @ 25°C: 1.3A, 300mA · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт · Мощность макcима
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FMM75-01F
- fmm75.01f
- IXYS
- MOSFET PWR 100V ISOPLUS I4-PAC-5 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 50A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Ток @ 25°C: 75A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Throug
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FMM65-015P
- fmm65.015p
- IXYS
- MOSFET PWR 150V ISOPLUS I4-PAC-5 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 50A, 10V · Напряжение (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 230nC @ 10V · Ток @ 25°C: 65A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: IS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FMM22-05PF
- fmm22.05pf
- GLENAIR
- i4-Pak, вес: 10 г
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FMM150-0075P
- fmm150.0075p
- IXYS
- MOSFET PWR 75V ISOPLUS I4-PAC-5 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 120A, 10V · Напряжение (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 225nC @ 10V · Ток @ 25°C: 150A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: I
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК