Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
IRF5850TRPBF
- irf5850trpbf
- International Rectifier, IR
- MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 2.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.2A · Емкость @ Vds: 320pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · М
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF5810TRPBF
- irf5810trpbf
- International Rectifier
- MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.9A · Емкость @ Vds: 650pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF5810TR
- irf5810tr
- International Rectifier
- MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.9A · Емкость @ Vds: 650pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPG20N06S3L-35
- ipg20n06s3l.35
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPG20N06S3L-23
- ipg20n06s3l.23
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPG15N06S3L-45
- ipg15n06s3l.45
- GLENAIR
- запросить APEC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HUFA76504DK8T
- hufa76504dk8t
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CHAN 80V 2.3A 8-SOIC Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 2.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.3A · Емкость @ Vds: 270pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Log
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HUFA76413DK8T
- hufa76413dk8t
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CHAN 60V 4.8A SO-8 Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 5.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5.1A · Емкость @ Vds: 620pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HUFA76407DK8T
- hufa76407dk8t
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 60V 3.5A 8-SOIC Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.2nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.5A · Емкость @ Vds: 330pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HUFA76404DK8T
- hufa76404dk8t
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 62V 3.2A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 3.6A, 10V · Напряжение (Vdss): 62V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.9nC @ 5V · Ток @ 25°C: 3.6A · Емкость @ Vds: 250pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HUF76407DK8T
- huf76407dk8t
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 60V 3.5A SOP-8 Серия: UltraFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.2nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.5A · Емкость @ Vds: 330pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TMC1620-TO
- tmc1620.to
- TRINAMIC [TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG.]
- Dual P-Channel 60V Power MOSFE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TMC1420-LA
- tmc1420.la
- TRINAMIC [TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG.]
- Dual P-Channel 40V Power MOSFE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TMC1340-SO
- tmc1340.so
- TRINAMIC [TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG.]
- Quad Complementary P-Channel 30V Enhancement Mode Power MOSFE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TMC1320-LA
- tmc1320.la
- TRINAMIC [TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG.]
- Dual P-Channel 30V Power MOSFE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HCT802TX
- hct802tx
- TT Electronics/Optek Technolog
- MOSFET DUAL ENHANCE HERMETIC SMD Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 1A, 10V · Напряжение (Vdss): 90V · Ток @ 25°C: 2A, 1.1A · Емкость @ Vds: 70pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип монтажа: Повер
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HCT802TXV
- hct802txv
- TT Electronics/Optek Technolog
- MOSFET DUAL ENHANCE HERMETIC SMD Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 1A, 10V · Напряжение (Vdss): 90V · Ток @ 25°C: 2A, 1.1A · Емкость @ Vds: 70pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип монтажа: Повер
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HCT802
- hct802
- TT Electronics/Optek Technolog
- MOSFET DUAL ENHANCE HERMETIC SMD Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 1A, 10V · Напряжение (Vdss): 90V · Ток @ 25°C: 2A, 1.1A · Емкость @ Vds: 70pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип монтажа: Повер
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HAT2092R-EL-E
- hat2092r.el.e
- Renesas Technology America
- MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 5.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Ток @ 25°C: 11A · Емкость @ Vds: 1400pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
HAT2038R-EL-E
- hat2038r.el.e
- Renesas Technology America
- MOSFET N-CH 60V 5A 8SOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 520pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхнос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК