Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
FMK75-01F
- fmk75.01f
- IXYS
- MOSFET PWR 100V ISOPLUS I4-PAC-5 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 50A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V · Ток @ 25°C: 75A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Поверх
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDZ2554PZ
- fdz2554pz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 6.5A BGA Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.5A · Емкость @ Vds: 1430pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Log
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDZ2554P
- fdz2554p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 6.5A BGA Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.5A · Емкость @ Vds: 1900pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Log
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDZ2553NZ
- fdz2553nz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 9.6A BGA Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 5V · Ток @ 25°C: 9.6A · Емкость @ Vds: 1240pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDZ2553N
- fdz2553n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 9.6A BGA Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 9.6A · Емкость @ Vds: 1299pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Log
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDW9926A
- fdw9926a
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 20V 4.5A 8-TSSO Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 4.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.5A · Емкость @ Vds: 630pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенност
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDY4000CZ
- fdy4000cz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N/P-CH 20V 600/350 SC89-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 600mA, 350mA · Емкость @ Vds: 60pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Ос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDW9926NZ
- fdw9926nz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 4.5A 8-TSSOP Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 4.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.5A · Емкость @ Vds: 600pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDY4001CZ
- fdy4001cz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N/P-CH 20V SC89-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 200mA, 150mA · Емкость @ Vds: 60pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDW2601NZ
- fdw2601nz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 30V 8.2A 8-TSSO Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 8.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 8.2A · Емкость @ Vds: 1840pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDW2520C
- fdw2520c
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N/P-CH COMP 20V 8TSSOP Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6A, 4.4A · Емкость @ Vds: 1325pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDW2521C
- fdw2521c
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N/P 20V 5.5/2.8A 8-TSSOP Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 5.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.5A, 3.8A · Емкость @ Vds: 1082pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особен
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDW2511NZ
- fdw2511nz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 20V 7.1A 8-TSSO Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7.1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17.3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.1A · Емкость @ Vds: 1000pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особен
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDW2510NZ
- fdw2510nz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 20V 6.4A 8-TSSO Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.4A · Емкость @ Vds: 870pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особеннос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDW2512NZ
- fdw2512nz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 20V 6A 8-TSSOP Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 670pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDW2516NZ
- fdw2516nz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 20V 5.8A 8-TSSO Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5.8A · Емкость @ Vds: 745pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDW2508PB
- fdw2508pb
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 12V 6A 8-TSSOP Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 3775pF @ 6V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDW2507NZ
- fdw2507nz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 7.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.5A · Емкость @ Vds: 2152pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDW2508P
- fdw2508p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 12V 6A 8-TSSOP Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 2644pF @ 6V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDW2507N
- fdw2507n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 7.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.5A · Емкость @ Vds: 2152pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК