Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
FDW2504P
- fdw2504p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 20V 3.8A 8-TSSO Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 3.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.8A · Емкость @ Vds: 1030pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDW2506P
- fdw2506p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 20V 5.3A 8-TSSO Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 5.3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.3A · Емкость @ Vds: 1015pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDW2501N
- fdw2501n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 20V 6A 8-TSSOP Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 1290pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDW2501NZ
- fdw2501nz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 20V 6A 8-TSSOP Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 5.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.5A · Емкость @ Vds: 1286pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особеннос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDW2503NZ
- fdw2503nz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 20V 5.5A 8-TSSO Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 5.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.5A · Емкость @ Vds: 1286pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDW2503N
- fdw2503n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 20V 5.5A 8-TSSO Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 5.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.5A · Емкость @ Vds: 1082pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDW2502P
- fdw2502p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 20V 4.4A 8-TSSO Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 5V · Ток @ 25°C: 4.4A · Емкость @ Vds: 1465pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенност
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDSS2407
- fdss2407
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 62V 3.3A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 3.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 62V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.3nC @ 5V · Ток @ 25°C: 3.3A · Емкость @ Vds: 300pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS9958
- fds9958
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 60V DUAL SO-8 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.9A · Емкость @ Vds: 1020pF @ 30V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Log
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS9953A
- fds9953a
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 30V 2.9A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.9A · Емкость @ Vds: 185pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS9945
- fds9945
- Fairchild Semiconductor, FS
- MOSFET N-CH 60V 3.5A SO-8 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 5V · Ток @ 25°C: 3.5A · Емкость @ Vds: 420pF @ 30V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS9934C
- fds9934c
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N/P-CH DUAL 20V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.5A, 5A · Емкость @ Vds: 650pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощ
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS9933A
- fds9933a
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 20V 3.8A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.8A · Емкость @ Vds: 600pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенност
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS9926A
- fds9926a
- Fairchild Semiconductor, Fairchild
- MOSFET N-CH DUAL 20V 6.5A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.5A · Емкость @ Vds: 650pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS9933
- fds9933
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 20V 5A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 3.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 825pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS8984
- fds8984
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CHAN 30V 7A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Ток @ 25°C: 7A · Емкость @ Vds: 635pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS8962C
- fds8962c
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Ток @ 25°C: 7A, 5A · Емкость @ Vds: 575pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS8978
- fds8978
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Ток @ 25°C: 7.5A · Емкость @ Vds: 907pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Log
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS8960C
- fds8960c
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N/P-CH DUAL 35V 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V · Напряжение (Vdss): 35V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.7nC @ 5V · Ток @ 25°C: 7A, 5A · Емкость @ Vds: 570pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS8949
- fds8949
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 40V 6A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6A, 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 955pF @ 20V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК