Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
FDS8958
- fds8958
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Ток @ 25°C: 7A, 5A · Емкость @ Vds: 789pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS8947A
- fds8947a
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 30V 4A 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4A · Емкость @ Vds: 730pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS8934A
- fds8934a
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 20V 4A 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 5V · Ток @ 25°C: 4A · Емкость @ Vds: 1130pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощност
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS8926A
- fds8926a
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 30V 5.5A SO-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.5A · Емкость @ Vds: 900pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · М
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS8928A
- fds8928a
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N/P-CH DUAL 30/20V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30V, 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.5A, 4A · Емкость @ Vds: 900pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level G
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS8858CZ
- fds8858cz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET DUAL N/P-CHAN 30V SO-8 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 8.6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Ток @ 25°C: 8.6A, 7.3A · Емкость @ Vds: 1205pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенност
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS8333C
- fds8333c
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N/P-CH 30V 4.1/3.4A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.1A, 3.4A · Емкость @ Vds: 282pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особен
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS6994S
- fds6994s
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 6.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6.9A, 8.2A · Емкость @ Vds: 800pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS6993
- fds6993
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 30/12V 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30V, 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.7nC @ 5V · Ток @ 25°C: 4.3A, 6.8A · Емкость @ Vds: 530pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Осо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS6990A
- fds6990a
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 30V 7.5A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 5V · Ток @ 25°C: 7.5A · Емкость @ Vds: 1235pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS6986AS
- fds6986as
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.5A, 7.9A · Емкость @ Vds: 550pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS6984S
- fds6984s
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 5V · Ток @ 25°C: 8.5A, 5.5A · Емкость @ Vds: 1233pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS6982S
- fds6982s
- Fairchild Semiconductor, Fairchild
- MOSFET SCHOTTKY 30V 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6.3A, 8.6A · Емкость @ Vds: 2040pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS6982AS
- fds6982as
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 30V SO-8 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.3A, 8.6A · Емкость @ Vds: 610pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS6982
- fds6982
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6.3A, 8.6A · Емкость @ Vds: 760pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS6975
- fds6975
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 30V 6A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 1540pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS6961A_F011
- fds6961a.f011
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 30V 3.5A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.5, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4nC @ 5V · Ток @ 25°C: 3.5A · Емкость @ Vds: 220pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Lo
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS6961A
- fds6961a
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 30V 3.5A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.5, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4nC @ 5V · Ток @ 25°C: 3.5A · Емкость @ Vds: 220pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Lo
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS6930B
- fds6930b
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 30V 5.5A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 5.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.8nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5.5A · Емкость @ Vds: 412pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS6930A
- fds6930a
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 30V 5.5A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 5.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5.5A · Емкость @ Vds: 460pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК