Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
FDS4559
- fds4559
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N/P-CH 60V 4.5/3.5A SO-8 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.5A, 3.5A · Емкость @ Vds: 650pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особеннос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS4501H
- fds4501h
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N/P-CH 30/20V 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30V, 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 9.3A, 5.6A · Емкость @ Vds: 1958pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS3912
- fds3912
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 100V 3A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3A · Емкость @ Vds: 632pF @ 50V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Lo
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS3992
- fds3992
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 100V 4.5A SO-8 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 4.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.5A · Емкость @ Vds: 750pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS3812
- fds3812
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 80V 3.4A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74 mOhm @ 3.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.4A · Емкость @ Vds: 634pF @ 40V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS3890
- fds3890
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 80V 4.7A SO-8 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 4.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.7A · Емкость @ Vds: 1180pF @ 40V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS3601
- fds3601
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 100V 1.3A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 1.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.3A · Емкость @ Vds: 153pF @ 50V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенност
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDR8308P
- fdr8308p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 20V 3.2A SSOT-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.2A · Емкость @ Vds: 1240pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDR8305N
- fdr8305n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 20V 4.5A SSOT-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.5A · Емкость @ Vds: 1600pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDR8702H
- fdr8702h
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 3.6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.6A, 2.6A · Емкость @ Vds: 650pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDR8508P
- fdr8508p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 3A SSOT-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 5V · Ток @ 25°C: 3A · Емкость @ Vds: 750pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макc
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDQ7698S
- fdq7698s
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 30V 14SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 15A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 5V · Ток @ 25°C: 12A, 15A · Емкость @ Vds: 1324pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMJ1023PZ
- fdmj1023pz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 20V 2.9A SC75 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.9A · Емкость @ Vds: 400pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особеннос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMS9620S
- fdms9620s
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CHAN DUAL 30V POWER56 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5 mOhm @ 7.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Ток @ 25°C: 7.5A, 10A · Емкость @ Vds: 665pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особен
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMS9600S
- fdms9600s
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 30V POWER56 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 12A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 12A, 16A · Емкость @ Vds: 1705pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особеннос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMS7608S
- fdms7608s
- FAIRCHILD
- Интегральные схемы (ИС) усилителей мощности PT7 Nch 30/20V & PT8 Nch 30/20V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMJ1032C
- fdmj1032c
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N/P-CH DUAL 20V SC75 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.2A, 2.5A · Емкость @ Vds: 270pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMJ1028N
- fdmj1028n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CHANNEL Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.2A · Емкость @ Vds: 200pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level G
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMC8200
- fdmc8200
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 500V POWER33 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Ток @ 25°C: 8A, 12A · Емкость @ Vds: 660pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMC6890NZ
- fdmc6890nz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 20V 4A POWER33 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4A · Емкость @ Vds: 270pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК