Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
IRF7750GTRPBF
- irf7750gtrpbf
- International Rectifier
- MOSFET P-CH DUAL 20V 4.7A 8TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 39nC @ 5V · Ток @ 25°C: 4.7A · Емкость @ Vds: 1700pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Lo
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF6150
- irf6150
- International Rectifier
- MOSFET P-CH 20V 7.1A FLIP-FET Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 7.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 7.9A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 3Вт · Тип монтажа: Поверхностный монт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FW349-TL-E
- fw349.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N/P-CH 45V 5/4.5A 8-SOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 5A, 10V · Напряжение (Vdss): 45V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18.1nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5A, 4.5A · Емкость @ Vds: 860pF @ 20V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FW342-TL-E
- fw342.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N/P-CH 30V 6/5A 8-SOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6A, 5A · Емкость @ Vds: 850pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FW248-TL-E
- fw248.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N-CH DUAL 45V 6A 8-SOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 6A, 10V · Напряжение (Vdss): 45V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 1040pF @ 20V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощност
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FW231A-TL-E
- fw231a.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N-CH DUAL 20V 8A 8-SOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 8A · Емкость @ Vds: 1530pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FMM300-0055P
- fmm300.0055p
- IXYS
- MOSFET PWR 55V ISOPLUS I4-PAC-5 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 150A, 10V · Напряжение (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 172nC @ 10V · Ток @ 25°C: 300A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: I
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDZ1905PZ
- fdz1905pz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V 3A 6-WLCSP Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126 mOhm @ 1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 3A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDY1002PZ
- fdy1002pz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 20V SC89-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 830mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 830mA · Емкость @ Vds: 135pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенност
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS9933BZ
- fds9933bz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 20V 4.9A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.9A · Емкость @ Vds: 985pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особеннос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS8958B
- fds8958b
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N/P-CH 30V TRENCH 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.4A, 4.5A · Емкость @ Vds: 540pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особеннос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS6898A_NF40
- fds6898a.nf40
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL PWM OPT 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 9.4A · Емкость @ Vds: 1821pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особеннос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDS4897AC
- fds4897ac
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N/P-CH 40V 6.1/5.2A SO8 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.1A, 5.2A · Емкость @ Vds: 1055pF @ 20V · Полярность: N and P-Channel · Особеннос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMA6023PZT
- fdma6023pzt
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 20V 6MICROFET Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.6A · Емкость @ Vds: 885pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMA3023PZ
- fdma3023pz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 30V MICROFET6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.9A · Емкость @ Vds: 530pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMA1027PT
- fdma1027pt
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 20V DUAL MICROFET Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3A · Емкость @ Vds: 435pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Log
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMA1024NZ
- fdma1024nz
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 20V 6-MICROFET Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 500pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDG6332C_F085
- fdg6332c.f085
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 700mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 700mA, 600mA · Емкость @ Vds: 113pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDD8424H_F085
- fdd8424h.f085
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N/P-CH DUAL 40V DPAK-4 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 9A, 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Ток @ 25°C: 9A, 6.5A · Емкость @ Vds: 1000pF @ 20V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDD3510H
- fdd3510h
- Fairchild Semiconductor
- IC MOSFET DUAL N/P 80V DPAK-4 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 80V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.3A, 2.8A · Емкость @ Vds: 800pF @ 40V · Полярность: N and P-Channel · Особенности
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК