Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
NTLJD3181PZTBG
- ntljd3181pztbg
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 20V 4A 6WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.2A · Емкость @ Vds: 450pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLJD3181PZTAG
- ntljd3181pztag
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 20V 4A 6WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.2A · Емкость @ Vds: 450pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLJD2104PTBG
- ntljd2104ptbg
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 12V 4.3A 6WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.4A · Емкость @ Vds: 467pF @ 6V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLJD2104PTAG
- ntljd2104ptag
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 12V 4.3A 6WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.4A · Емкость @ Vds: 467pF @ 6V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLGD3502NT2G
- ntlgd3502nt2g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 20V 6-DFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.3A, 3.6A · Емкость @ Vds: 480pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTJD4001NT2G
- ntjd4001nt2g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 30V SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.3nC @ 5V · Ток @ 25°C: 250mA · Емкость @ Vds: 33pF @ 5V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcим
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDC7002N_SB9G007
- ndc7002n.sb9g007
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 50V 6-SSOT Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 510mA, 10V · Напряжение (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1nC @ 10V · Ток @ 25°C: 510mA · Емкость @ Vds: 20pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MTMC8E2A0LBF
- mtmc8e2a0lbf
- Panasonic - SSG
- MOSFET 2N-CH 20V 7A WMINI8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 7A · Емкость @ Vds: 1450pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностны
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MTMC8E280LBF
- mtmc8e280lbf
- Panasonic - SSG
- MOSFET 2N-CH 20V 7A WMINI8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 7A · Емкость @ Vds: 1500pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностны
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MTM763200LBF
- mtm763200lbf
- Panasonic - SSG
- MOSFET N/P-CH 20V WSMINI6-F1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 1A, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 1.9A, 1.2A · Емкость @ Vds: 280pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Пове
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MTM684110LBF
- mtm684110lbf
- Panasonic - SSG
- MOSFET P-CH 12V 4.8A WMINI8-F1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 1A, 5V · Напряжение (Vdss): 12В · Ток @ 25°C: 4.8A · Емкость @ Vds: 1400pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MTM684100LBF
- mtm684100lbf
- Panasonic - SSG
- MOSFET P-CH 12V 4.8A WMINI8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 1A, 4V · Напряжение (Vdss): 12В · Ток @ 25°C: 4.8A · Емкость @ Vds: 1200pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MP4411(Q)
- mp4411.q
- Toshiba
- MOSFET MOD N-CH DUAL 100V 12-SIP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 2A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3A · Емкость @ Vds: 280pF @ 10V · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2.2W · Тип
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MCH6626-TL-E
- mch6626.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N/P-CH 20V 1.6/1A MCPH6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 800mA, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.4nC @ 4V · Ток @ 25°C: 1.6A, 1A · Емкость @ Vds: 105pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · М
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
LKK47-06C5
- lkk47.06c5
- IXYS
- MOSFET DUAL 600V 47A ISOPLUS264 Серия: CoolMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 44A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 190nC @ 10V · Ток @ 25°C: 47A · Емкость @ Vds: 6800pF @ 100V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: С
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTL2X240N055T
- ixtl2x240n055t
- IXYS
- MOSFET N-CH 55V 140A ISOPLUS I5 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 50A, 10V · Напряжение (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Ток @ 25°C: 140A · Емкость @ Vds: 7600pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTL2X220N075T
- ixtl2x220n075t
- IXYS
- MOSFET N-CH 75V ISOPLUS I5-PAK Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 50A, 10V · Напряжение (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 165nC @ 10V · Ток @ 25°C: 120A · Емкость @ Vds: 7700pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: С
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTL2X200N085T
- ixtl2x200n085t
- IXYS
- MOSFET N-CH 85V ISOPLUS I5-PAK Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V · Напряжение (Vdss): 85V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 152nC @ 10V · Ток @ 25°C: 112A · Емкость @ Vds: 7600pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Ста
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTL2X180N10T
- ixtl2x180n10t
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V ISOPLUS I5-PAK Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4 mOhm @ 50A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 151nC @ 10V · Ток @ 25°C: 100A · Емкость @ Vds: 6900pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IRF7755GTRPBF
- irf7755gtrpbf
- International Rectifier
- MOSFET P-CH DUAL 20V 3.9A 8TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 3.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.9A · Емкость @ Vds: 1090pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК