Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
FDC6036P_F077
- fdc6036p.f077
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 20V 5A 6SSOT Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 992pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Log
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EM6M1T2R
- em6m1t2r
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N/P-CH 30V .1A EMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 30V, 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 100mA, 200mA · Емкость @ Vds: 13pF @ 5V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EM6J1T2R
- em6j1t2r
- Rohm Semiconductor
- MOSFET 2P-CH 20V 200MA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 200mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 200mA · Емкость @ Vds: 115pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощнос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
EM5K5T2R
- em5k5t2r
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 30V .3A EMT5 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 300mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Ток @ 25°C: 300mA · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ECH8620-TL-E
- ech8620.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N/P-CH 100V 2/1.5A ECH8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 1A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13.8nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2A, 1.5A · Емкость @ Vds: 650pF @ 20V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ECH8619-TL-E
- ech8619.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N/P-CH 60V 3/2A ECH8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.8nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3A, 2A · Емкость @ Vds: 560pF @ 20V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMG9926USD-13
- dmg9926usd.13
- Diodes Inc
- MOSFET 2N-CH 20V 8A SOP8L Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 8.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 8A · Емкость @ Vds: 867pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощност
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMG8601UFG-7
- dmg8601ufg.7
- Diodes Inc
- MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 6.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.1A · Емкость @ Vds: 143pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMC3035LSD-13
- dmc3035lsd.13
- Diodes Inc
- MOSFET COMPL PAIR 2000MW 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.6nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.9A, 5A · Емкость @ Vds: 384pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMC3028LSD-13
- dmc3028lsd.13
- Diodes/Zetex
- MOSFET N+P 30V 5.5A SO8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.5A, 5.8A · Емкость @ Vds: 472pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощност
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CSD75204W15
- csd75204w15
- Texas Instruments
- MOSFET PCH -20V -3A 9DSBGA Серия: NexFET™ · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3A · Емкость @ Vds: 410pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CPH6616-TL-E
- cph6616.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N-CH DUAL 30V 2.5A CPH6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.5A · Емкость @ Vds: 187pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · М
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
CPH6615-TL-E
- cph6615.tl.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- MOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.8A CPH6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.5A, 1.8A · Емкость @ Vds: 187pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSL316C L6327
- bsl316c.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N/P-CH 30V TSOP-6 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.6nC @ 5V · Ток @ 25°C: 1.4A, 1.5A · Емкость @ Vds: 94pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSL315P L6327
- bsl315p.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH DUAL 30V 1.5A TSOP-6 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 5V · Ток @ 25°C: 1.5A · Емкость @ Vds: 282pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSL306N L6327
- bsl306n.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH DUAL 30V 2.3A TSOP-6 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.6nC @ 5V · Ток @ 25°C: 2.3A · Емкость @ Vds: 275pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Lo
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSL215P L6327
- bsl215p.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET P-CH DL 20V 1.5A TSOP-6 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.55nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.5A · Емкость @ Vds: 346pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSL215C L6327
- bsl215c.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP-6 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.73nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.5A · Емкость @ Vds: 143pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Log
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSL214N L6327
- bsl214n.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH DUAL 20V 1.5A TSOP-6 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.8nC @ 5V · Ток @ 25°C: 1.5A · Емкость @ Vds: 143pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BSL207N L6327
- bsl207n.l6327
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH DUAL 20V 2.1A TSOP-6 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 2.1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.1A · Емкость @ Vds: 419pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК