Полевые транзисторы - Сборки, страница 68
Всего товаров: 2491
XN0187200L
- xn0187200l
- Panasonic - SSG
- MOSFET 2N-CH 50V 100MA MINI-5 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 20mA, 5V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 100mA · Емкость @ Vds: 15pF @ 5V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VQ1006P-E3
- vq1006p.e3
- VISHAY
- N-KANAL MOSFET ARRAY CERAMIC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VQ1001P-E3
- vq1001p.e3
- VISHAY
- N-KANAL MOSFET ARRAY CERAMIC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
VKM60-01P1
- vkm60.01p1
- IXYS
- MOSFET H-BRIDGE 100V ECO-PAC2 Серия: HiPerFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 500mA, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V · Ток @ 25°C: 75A · Емкость @ Vds: 4500pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенност
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
USB10H
- usb10h
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 20V SSOT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 1.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.9A · Емкость @ Vds: 441pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощ
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
US6K4TR
- us6k4tr
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 20V 1.5A TUMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.5A · Емкость @ Vds: 110pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UPA679TB-T1-A
- upa679tb.t1.a
- NEC ELECTRONICS INC
- N-/P-Channel Power Mosfet 20V / -20V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UPA677TB-T2-A
- upa677tb.t2.a
- NEC ELECTRONICS INC
- N-Channel Power Mosfet
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UP0497900L
- up0497900l
- Panasonic - SSG
- MOSFET N+P 50,30V .1A SSMINI-6P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 50V, 30V · Ток @ 25°C: 100mA · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 125mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UP0487C00L
- up0487c00l
- Panasonic - SSG
- MOSFET 2N-CH 20V 100MA SSMINI-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 100mA · Емкость @ Vds: 10pF @ 3V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 125mW · Тип монтажа:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UP0487800L
- up0487800l
- Panasonic - SSG
- MOSFET 2N-CH 50V .1A SS-MINI-6P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 100mA · Емкость @ Vds: 12pF @ 3V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 125mW · Тип монтажа
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
UP0187B00L
- up0187b00l
- Panasonic - SSG
- MOSFET N-CH 30V 100MA SSMINI-5 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 30В · Ток @ 25°C: 100mA · Емкость @ Vds: 12pF @ 3V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 125mW · Тип монтажа:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
US6M1TR
- us6m1tr
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N+P 30,20V 1A TUMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30V, 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2nC @ 5V · Ток @ 25°C: 1.4A, 1A · Емкость @ Vds: 70pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощ
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
US6K2TR
- us6k2tr
- Rohm Semiconductor
- MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2nC @ 5V · Ток @ 25°C: 1.4A · Емкость @ Vds: 70pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
US6M2TR
- us6m2tr
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N+P 20V 1.5A/1A TUMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30V, 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.5A, 1A · Емкость @ Vds: 80pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт · Мощн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
US6J2TR
- us6j2tr
- Rohm Semiconductor
- MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1A · Емкость @ Vds: 150pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК