Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
ZXMHC10A07N8TC
- zxmhc10a07n8tc
- Diodes Inc
- MOSFET H-BRIDGE COMPL 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.9nC @ 10V · Ток @ 25°C: 800mA, 680mA · Емкость @ Vds: 138pF @ 60V · Полярность: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) · Особенности: С
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMD65N03N8TA
- zxmd65n03n8ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CHAN DUAL 30V 8-SOIC Напряжение (Vdss): 30В · Ток @ 25°C: 6.5A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMD65P03N8TA
- zxmd65p03n8ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET 2P-CH 30V 4.8MA 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25.7nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.8A · Емкость @ Vds: 930pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность м
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMD63P03XTC
- zxmd63p03xtc
- Diodes/Zetex
- MOSFET DUAL P-CHAN 30V 8MSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 1.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2A · Емкость @ Vds: 270pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощност
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMD63P03XTA
- zxmd63p03xta
- Diodes/Zetex
- MOSFET 2P-CH 30V 2A 8-MSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 1.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2A · Емкость @ Vds: 270pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMD65P02N8TC
- zxmd65p02n8tc
- Diodes/Zetex
- MOSFET DUAL P-CHAN 20V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4A · Емкость @ Vds: 960pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макc
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMD65N02N8TA
- zxmd65n02n8ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CHAN DUAL 20V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 6.6A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMD63P02XTC
- zxmd63p02xtc
- Diodes/Zetex
- MOSFET DUAL P-CHAN 20V 8MSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.25nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.7A · Емкость @ Vds: 290pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMD65P02N8TA
- zxmd65p02n8ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET 2P-CH 20V 5.1A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4A · Емкость @ Vds: 960pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макc
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMD63P02XTA
- zxmd63p02xta
- Diodes/Zetex
- MOSFET 2P-CH 20V 1.7A 8-MSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.25nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.7A · Емкость @ Vds: 290pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMD63N03XTC
- zxmd63n03xtc
- Diodes/Zetex
- MOSFET DUAL N-CHAN 30V 8MSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 1.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.3A · Емкость @ Vds: 290pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMD63N03XTA
- zxmd63n03xta
- Diodes/Zetex
- MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 1.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.3A · Емкость @ Vds: 290pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMC6A09DN8TA
- zxmc6a09dn8ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET N+P 60V 4.8A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 8.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24.2nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.9A, 3.7A · Емкость @ Vds: 1407pF @ 40V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · М
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMD63C02XTC
- zxmd63c02xtc
- Diodes/Zetex
- MOSFET N/P-CHAN DUAL 20V 8MSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.4A, 1.7A · Емкость @ Vds: 350pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMD63C03XTC
- zxmd63c03xtc
- Diodes/Zetex
- MOSFET N/P-CHAN DUAL 30V 8MSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 1.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2A · Емкость @ Vds: 290pF @ 25 V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощност
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMD63N02XTC
- zxmd63n02xtc
- Diodes/Zetex
- MOSFET DUAL N-CHAN 20V 8MSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.4A · Емкость @ Vds: 350pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощ
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMD63C03XTA
- zxmd63c03xta
- Diodes/Zetex
- MOSFET N+P 30V 2A 8-MSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 1.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.3A, 2A · Емкость @ Vds: 290pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMD63C02XTA
- zxmd63c02xta
- Diodes/Zetex
- MOSFET N+P 20V 1.7A 8-MSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.4A, 1.7A · Емкость @ Vds: 350pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMD63N02XTA
- zxmd63n02xta
- Diodes/Zetex
- MOSFET 2N-CH 20V 2.4A 8-MSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.4A · Емкость @ Vds: 350pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощ
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMC4A16DN8TC
- zxmc4a16dn8tc
- Diodes/Zetex
- MOSFET N/P-CHAN DUAL 40V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4A, 3.6A · Емкость @ Vds: 770pF @ 40V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК