Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
ZXMC4A16DN8TA
- zxmc4a16dn8ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET N/P-CHAN DUAL 40V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4A, 3.6A · Емкость @ Vds: 770pF @ 40V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMC3F31DN8TA
- zxmc3f31dn8ta
- Diodes Incorporated
- Интегральные схемы (ИС) усилителей мощности 30V S08 Dual MOSFET 20V VBR 4.5V Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMC3AMCTA
- zxmc3amcta
- Diodes Incorporated
- DFN3020B-8/30V COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMC3A18DN8TA
- zxmc3a18dn8ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CH/P-CH 30V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5.8A, 4.8A · Емкость @ Vds: 1800pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMC4559DN8TA
- zxmc4559dn8ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET N/P-CHAN DUAL 60V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20.4nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.6A, 2.6A · Емкость @ Vds: 1063pF @ 30V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMC4559DN8TC
- zxmc4559dn8tc
- Diodes Inc.
- Интегральные схемы (ИС) усилителей мощности 60V TRENCH MOSFET 20V VGS P-Channel
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMC3AM832TA
- zxmc3am832ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET N+P 30V 2.7A 8MLP 3 X 2 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.9nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.9A, 2.1A · Емкость @ Vds: 190pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMC3A17DN8TA
- zxmc3a17dn8ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 7.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.2nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.1A, 3.4A · Емкость @ Vds: 600pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMC3A17DN8TC
- zxmc3a17dn8tc
- Diodes/Zetex
- MOSFET N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 7.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.2nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.1A, 3.4A · Емкость @ Vds: 600pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMC3A16DN8TC
- zxmc3a16dn8tc
- Diodes/Zetex
- MOSFET N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.9A, 4.1A · Емкость @ Vds: 796pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMC3A16DN8TA
- zxmc3a16dn8ta
- Diodes/Zetex
- MOSFET N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.9A, 4.1A · Емкость @ Vds: 796pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZXMC10A816N8TC
- zxmc10a816n8tc
- Diodes Inc
- MOSFET DUAL COMPL 100V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 1A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.2nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2A · Емкость @ Vds: 497pF @ 50V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZVN4206NTC
- zvn4206ntc
- Diodes/Zetex
- MOSFET DUAL N-CHAN 60V SOT223-8 Напряжение (Vdss): 60V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (8 leads), SM8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZVN4206NTA
- zvn4206nta
- Diodes/Zetex
- MOSFET DUAL N-CHAN 60V SOT223-8 Напряжение (Vdss): 60V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (8 leads), SM8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZDM4206NTC
- zdm4206ntc
- Diodes/Zetex
- MOSFET DUAL N-CHAN SOT-223-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 1A · Емкость @ Vds: 100pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2.25W · Тип монтажа: По
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZDM4306NTA
- zdm4306nta
- Diodes/Zetex
- MOSFET N-CH DUAL 60V 2A SOT223-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 2A · Емкость @ Vds: 350pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2.5Вт · Тип монтажа: Повер
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZDM4306NTC
- zdm4306ntc
- Diodes/Zetex
- MOSFET DUAL N-CHAN SOT-223-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 2A · Емкость @ Vds: 350pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2.5Вт · Тип монтажа: Поверхнос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ZDM4206NTA
- zdm4206nta
- Diodes/Zetex
- MOSFET 2N-CH 60V 1A SOT-223-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 1A · Емкость @ Vds: 100pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2.25W · Тип монтажа: П
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
XP0487800L
- xp0487800l
- Panasonic - SSG
- MOSFET 2N-CH 50V 100MA S-MINI-6P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 100mA · Емкость @ Vds: 12pF @ 3V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
XP0187800L
- xp0187800l
- Panasonic - SSG
- MOSFET 2N-CH 50V .1A S MINI-5P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 100mA · Емкость @ Vds: 12pF @ 3V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК