Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
SI4906DY-T1-E3
- si4906dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH DUAL 40V 6.6A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 5A, 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5.3A · Емкость @ Vds: 625pF @ 20V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Ст
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4904DY-T1-E3
- si4904dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH DUAL 40V 8A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 5A, 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 85nC @ 10V · Ток @ 25°C: 8A · Емкость @ Vds: 2390pF @ 20V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Станд
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4900DY-T1-E3
- si4900dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH DUAL 60V 5.3A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.3A · Емкость @ Vds: 665pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4834BDY-T1-E3
- si4834bdy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.7A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4830ADY-T1-E3
- si4830ady.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.7A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4818DY-T1-E3
- si4818dy.t1.e3
- VISHAY
- POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4816DY-T1-E3
- si4816dy.t1.e3
- VISHAY
- POWER MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4816BDY-T1-E3
- si4816bdy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 6.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5.8A, 8.2A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1W, 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4804BDY-T1-E3
- si4804bdy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH DUAL 30V 5.7A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.7A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4618DY-T1-E3
- si4618dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.7A, 11.4A · Емкость @ Vds: 1535pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4569DY-T1-E3
- si4569dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6A, 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6A, 6.1A · Емкость @ Vds: 855pF @ 20V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4567DY-T1-E3
- si4567dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.1A, 3.6A · Емкость @ Vds: 355pF @ 20V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Станд
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4563DY-T1-E3
- si4563dy.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 5A, 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 85nC @ 10V · Ток @ 25°C: 8A, 6.6A · Емкость @ Vds: 2390pF @ 20V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4562DY-T1-E3
- si4562dy.t1.e3
- VISHAY
- N/P-KANAL MOSFET RDS=0,025/0,033
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4565ADY-T1-E3
- si4565ady.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 5A, 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5.3A, 4.5A · Емкость @ Vds: 625pF @ 20V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандар
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4559ADY-T1-E3
- si4559ady.t1.e3
- Vishay/Siliconix
- MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.3A, 3A · Емкость @ Vds: 665pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4542DY-T1-E3
- si4542dy.t1.e3
- VISHAY
- N/P-KANAL MOSFET 6,9/6,1A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4532DY
- si4532dy
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N/P-CH DUAL 30V SO-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.9A, 3.5A · Емкость @ Vds: 235pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт · Мощность ма
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4532ADY-T1-E3
- si4532ady.t1.e3
- VISHAY
- N/P-KANAL POWER MOSFET RDS=0,075/0,135
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI4542DY
- si4542dy
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 830pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК