Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
NDS8958
- nds8958
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N+P 30V 4A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5.3A, 4A · Емкость @ Vds: 720pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDS8936
- nds8936
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5.3A · Емкость @ Vds: 720pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDS8947
- nds8947
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4A · Емкость @ Vds: 690pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность ма
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDS8934
- nds8934
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 20V 3.8A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.8A · Емкость @ Vds: 1120pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDS8858H
- nds8858h
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N+P 30V 4.8A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.3A, 4.8A · Емкость @ Vds: 720pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDS8852H
- nds8852h
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N+P 30V 3.4A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.3A, 3.4A · Емкость @ Vds: 300pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDM3000
- ndm3000
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET 3 PHASE MOTOR DVR SO16 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3A · Емкость @ Vds: 360pF @ 10V · Полярность: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) · Особенности: Logic Lev
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDH8304P
- ndh8304p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 20V 2.7A SSOT8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 2.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.7A · Емкость @ Vds: 865pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDC7003P
- ndc7003p
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET 2P-CH 60V 340MA SSOT6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 340mA, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.2nC @ 10V · Ток @ 25°C: 340mA · Емкость @ Vds: 66pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Lo
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDC7001C
- ndc7001c
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N+P 60V 340MA SSOT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 510mA, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 510mA, 340mA · Емкость @ Vds: 20pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощ
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDC7002N
- ndc7002n
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET 2N-CH 50V 510MA SSOT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 510mA, 10V · Напряжение (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1nC @ 10V · Ток @ 25°C: 510mA · Емкость @ Vds: 20pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощност
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTZD5110NT5G
- ntzd5110nt5g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 60V SOT563-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 294mA · Емкость @ Vds: 24.5pF @ 20V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTZD3154NT2G
- ntzd3154nt2g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 20V SOT563-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 540mA · Емкость @ Vds: 150pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTZD5110NT1G
- ntzd5110nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 60V SOT563-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 294mA · Емкость @ Vds: 24.5pF @ 20V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTUD3129PT5G
- ntud3129pt5g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 20V SOT-963 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 100mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 140mA · Емкость @ Vds: 12pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 125mW · Тип монтажа
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTUD3127CT5G
- ntud3127ct5g
- ON Semiconductor
- MOSFET N/P-CH 20V SOT-963 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 100mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 160mA, 140mA · Емкость @ Vds: 9pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 125mW · Тип монтажа
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTUD3128NT5G
- ntud3128nt5g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 20V SOT-963 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 100mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 160mA · Емкость @ Vds: 9pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 125mW · Тип монтажа:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLJD3115PTAG
- ntljd3115ptag
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 20V 4.1A 6-WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.3A · Емкость @ Vds: 531pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLJD3119CTBG
- ntljd3119ctbg
- ON Semiconductor
- MOSFET N/P-CH 20V 4.6/4.1A 6WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.6A, 2.3A · Емкость @ Vds: 271pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Ga
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTLJD2105LTBG
- ntljd2105ltbg
- ON Semiconductor
- MOSFET LOAD SW 8V 4.3A 6-WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 8V · Ток @ 25°C: 2.5A · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 520mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-WDFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК