Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
NTHD3102CT1G
- nthd3102ct1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N/P-CH COMPL 20V CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4A, 3.1A · Емкость @ Vds: 510pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHD3100CT3
- nthd3100ct3
- ON Semiconductor
- MOSFET N/P-CH COMPL 20V CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.9A, 3.2A · Емкость @ Vds: 165pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gat
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHD3100CT1
- nthd3100ct1
- ON Semiconductor
- MOSFET N/P-CH COMPL 20V CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.9A, 3.2A · Емкость @ Vds: 165pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gat
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHD2102PT1G
- nthd2102pt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET PWR P-CH DUAL 8V CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 3.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 2.5V · Ток @ 25°C: 3.4A · Емкость @ Vds: 715pF @ 6.4V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTGD4167CT1G
- ntgd4167ct1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N/P-CH 30V DUAL 6-TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.6A, 1.9A · Емкость @ Vds: 295pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTGD3149CT1G
- ntgd3149ct1g
- ON Semiconductor
- MOSFET COMPL 20V DUAL 6-TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.2A, 2.4A · Емкость @ Vds: 387pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTGD3148NT1G
- ntgd3148nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 20V 3.5A 6TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3A · Емкость @ Vds: 300pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · М
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDS9958
- nds9958
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N+P 20V 3A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.5A · Емкость @ Vds: 525pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность ма
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDS9959
- nds9959
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2A · Емкость @ Vds: 250pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcима
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDS9956A
- nds9956a
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.7A · Емкость @ Vds: 320pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDS9953A
- nds9953a
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.9A · Емкость @ Vds: 350pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощнос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDS9952A
- nds9952a
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N+P 30V 2.9A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 1A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.7A, 2.9A · Емкость @ Vds: 320pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощнос
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDS9948
- nds9948
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 2.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.3A · Емкость @ Vds: 394pF @ 30V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDS9947
- nds9947
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.5A · Емкость @ Vds: 542pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDS9945
- nds9945
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.5A · Емкость @ Vds: 345pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDS9925A
- nds9925a
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 20V 4.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 4.5A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDS9936
- nds9936
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 525pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность ма
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDS9943
- nds9943
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N+P 20V 2.8A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3A, 2.8A · Емкость @ Vds: 525pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощност
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDS9933A
- nds9933a
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH DUAL 20V 2.8A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 2.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.8A · Емкость @ Vds: 405pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDS8961
- nds8961
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH DUAL 30V 3.1A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.1A · Емкость @ Vds: 190pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК