Полевые транзисторы - Сборки
Всего товаров: 2491
NTJD2152PT2G
- ntjd2152pt2g
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CH 8V DUAL ESD SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 570mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 775mA · Емкость @ Vds: 225pF @ 8V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTJD1155LT1G
- ntjd1155lt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 1.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 8V · Ток @ 25°C: 1.3A · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-7
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTJD1155LT1
- ntjd1155lt1
- ON Semiconductor
- MOSFET/LOAD SWITCH HI 8V SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 1.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 8V · Ток @ 25°C: 1.3A · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHD3100CT3G
- nthd3100ct3g
- ON Semiconductor
- MOSFET N/P-CH COMPL 20V CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.9A, 3.2A · Емкость @ Vds: 165pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gat
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHD5904T1
- nthd5904t1
- ON Semiconductor
- MOSFET 2N-CH 20V 3.1A CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.1A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Ти
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHD5903T1G
- nthd5903t1g
- ON Semiconductor
- MOSFET PWR P-CH DUAL20V CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 2.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.2A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHD5905T1
- nthd5905t1
- ON Semiconductor
- MOSFET 2P-CH 8V 3A CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтаж
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHD5902T1
- nthd5902t1
- ON Semiconductor
- MOSFET 2N-CH 30V 2.9A CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5 nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.9A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Т
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHD4502NT1
- nthd4502nt1
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CHAN DUAL 30V CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.2A · Емкость @ Vds: 140pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHD4401PT3
- nthd4401pt3
- ON Semiconductor
- MOSFET P-CHAN DUAL 20V CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.1A · Емкость @ Vds: 300pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · М
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHD4502NT1G
- nthd4502nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET 2N-CH 30V 2.9A CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.2A · Емкость @ Vds: 140pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHD4508NT1G
- nthd4508nt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET 2N-CH 20V 3.1A CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3A · Емкость @ Vds: 180pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощно
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHD4401PT3G
- nthd4401pt3g
- ON Semiconductor
- MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.1A · Емкость @ Vds: 300pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHD4401PT1G
- nthd4401pt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET PWR P-CH DUAL20V CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.1A · Емкость @ Vds: 300pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHD4401PT1
- nthd4401pt1
- ON Semiconductor
- MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.1A · Емкость @ Vds: 300pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мо
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHD3100CT1G
- nthd3100ct1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N+P 20V 2.9A CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.9A, 3.2A · Емкость @ Vds: 165pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHD4102PT1G
- nthd4102pt1g
- ON Semiconductor
- MOSFET PWR P-CH DUAL20V CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.9A · Емкость @ Vds: 750pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHD2102PT1
- nthd2102pt1
- ON Semiconductor
- MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 3.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 2.5V · Ток @ 25°C: 3.4A · Емкость @ Vds: 715pF @ 6.4V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощ
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHC5513T1G
- nthc5513t1g
- ON Semiconductor
- MOSFET N/P-CH 20V 2.1A CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.9A, 2.2A · Емкость @ Vds: 180pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTHC5513T1
- nthc5513t1
- ON Semiconductor
- MOSFET N/P-CH 20V 2.1A CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.9A, 2.2A · Емкость @ Vds: 180pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Полевые транзисторы в сборках представляют собой объединение нескольких полевых транзисторов в одном корпусе для обеспечения высокоэффективного управления электрическими сигналами.
Эти устройства используются в различных электронных схемах для усиления и переключения сигналов, что делает их незаменимыми компонентами в современной электронике. Полевые транзисторы в сборках отличаются высокой производительностью, компактностью и надежностью, обеспечивая оптимальное решение для сложных электронных систем.
Применение
Полевые транзисторы в сборках находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители мощности: используются в аудио- и радиоусилителях для усиления сигналов.
- Силовая электроника: применяются в инверторах, преобразователях напряжения и других силовых устройствах для управления токами и напряжениями.
- Импульсные источники питания: обеспечивают высокоэффективное управление и стабилизацию напряжения в источниках питания.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления двигателями, системах зарядки и других электронных системах автомобилей.
- Промышленная автоматика: применяются в системах управления и автоматизации для управления электродвигателями и другими исполнительными устройствами.
Совместимость
Полевые транзисторы в сборках совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, резисторами, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, эти сборки находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Инженеры и разработчики часто используют полевые транзисторы, собранные в модули, для достижения точного контроля над электрическими потоками в различных устройствах. Их уникальные свойства делают эти компоненты незаменимыми в самых разных технических проектах, обеспечивая высокую производительность и надежность в электронной и электротехнической сферах.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК