Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
DMP3165LQ-7
- dmp3165lq.7
- Diodes Incorporated
- MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DMP3165LQ-13
- dmp3165lq.13
- Diodes Incorporated
- MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTT1N250HV-TRL
- ixtt1n250hv.trl
- IXYS Corp
- MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO268HV
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PMPB55XNEAX
- pmpb55xneax
- Nexperia USA Inc.
- MOSFET N-CH 30V 3.8A 6DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1YJL2304A
- yjl2304a
- Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
- N-CH MOSFET 30V 3.6A SOT-23-3L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1BSS123IXTMA1
- bss123ixtma1
- Infineon Technologies
- 100V N-CH SMALL SIGNAL MOSFET IN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IPB65R225C7ATMA2
- ipb65r225c7atma2
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IAUT165N08S5N029ATMA1
- iaut165n08s5n029atma1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1G15P04K
- g15p04k
- Goford Semiconductor
- P40V,RD(MAX)<39M@-10V,RD(MAX)<70
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDBL86563-F085
- fdbl86563.f085
- onsemi, FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
- MOSFET N-CH 60V 240A 8HPSOF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SIHK055N60E-T1-GE3
- sihk055n60e.t1.ge3
- Vishay Siliconix
- E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SIHK075N60E-T1-GE3
- sihk075n60e.t1.ge3
- Vishay Siliconix
- E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1NVMFWS0D4N04XMT1G
- nvmfws0d4n04xmt1g
- onsemi
- 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFA34N65X3
- ixfa34n65x3
- Littelfuse Inc.
- MOSFET 34A 650V X3 TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SIHLU024-GE3
- sihlu024.ge3
- Vishay Siliconix
- LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PJQ5423_R2_00001
- pjq5423.r2.00001
- Panjit International Inc.
- 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SI3474DV-T1-BE3
- si3474dv.t1.be3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SQD15N06-42L_T4GE3
- sqd15n06.42l.t4ge3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DMP3021SSS-13
- dmp3021sss.13
- Diodes Incorporated
- MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1STWA67N60M6
- stwa67n60m6
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 52A TO247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК