Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
G50N03K
- g50n03k
- Goford Semiconductor
- N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA3N100D2HV-TRL
- ixta3n100d2hv.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SCT4026DW7HRTL
- sct4026dw7hrtl
- Rohm Semiconductor
- 750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN65D8LV-13
- dmn65d8lv.13
- Diodes Incorporated
- MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPT210N25NFDATMA1
- ipt210n25nfdatma1
- Infineon Technologies
- MV POWER MOS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVMJS1D4N06CLTWG
- nvmjs1d4n06cltwg
- onsemi
- MOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJD50P04_L2_00001
- pjd50p04.l2.00001
- Panjit International Inc.
- 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA50N25T-TRL
- ixta50n25t.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 250V 50A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIA4263DJ-T1-GE3
- sia4263dj.t1.ge3
- Vishay Siliconix
- P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT8043BFLLG
- apt8043bfllg
- Microchip Technology, Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 800V 20A TO247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQ4080EY-T1_BE3
- sq4080ey.t1.be3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA50N20P-TRL
- ixta50n20p.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 200V 50A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVMFS6H801NWFT1G
- nvmfs6h801nwft1g
- onsemi
- MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVMFS5C406NWFT1G
- nvmfs5c406nwft1g
- onsemi
- MOSFET N-CH 40V 52A/353A 5DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB80N06S2H5AUMA1
- ipb80n06s2h5auma1
- Infineon Technologies
- IC MOSFET N-CH TO263-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTF1R4N450
- ixtf1r4n450
- IXYS
- MOSFET N-CH 4500V 1.4A I4PAC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFA230N075T2-TRL
- ixfa230n075t2.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 75V 230A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDPF2D3N10C
- fdpf2d3n10c
- onsemi
- MOSFET N-CH 100V 222A TO220F
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIDR626DP-T1-RE3
- sidr626dp.t1.re3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT1201R2BFLLG
- apt1201r2bfllg
- Microchip Technology, Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК