Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
APT8020LLLG
- apt8020lllg
- Microchip Technology, Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 800V 38A TO264
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1BUK7Y1R4-40HX
- buk7y1r4.40hx
- Nexperia USA Inc.
- BUK7Y1R4-40H/SOT669/LFPAK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1R6520KNXC7G
- r6520knxc7g
- Rohm Semiconductor
- 650V 20A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1NTB190N65S3HF
- ntb190n65s3hf
- onsemi
- MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDV304P-D87Z
- fdv304p.d87z
- onsemi, Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDS8876-F40
- fds8876.f40
- onsemi
- 30V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DMP3021SFVWQ-7
- dmp3021sfvwq.7
- Diodes Incorporated
- MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DMP3021SFVWQ-13
- dmp3021sfvwq.13
- Diodes Incorporated
- MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1G30N02T
- g30n02t
- Goford Semiconductor
- N20V,RD(MAX)<13M@4.5V,VTH0.5V~1.
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1MCAC100N08Y-TP
- mcac100n08y.tp
- Micro Commercial Co
- N-CHANNEL MOSFET, DFN5060
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1NTLJS14D0P03P8ZTAG
- ntljs14d0p03p8ztag
- onsemi
- MOSFET P-CH 30V 11A 6MICROFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IPL65R165CFDAUMA2
- ipl65r165cfdauma2
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 21.3A 4VSON
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTA6N100D2-TRL
- ixta6n100d2.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDPF041N06BL1-F154
- fdpf041n06bl1.f154
- onsemi
- MOSFET N-CH 60V 77A TO220F-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IRFB5615PBFXKMA1
- irfb5615pbfxkma1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DMTH8001STLWQ-13
- dmth8001stlwq.13
- Diodes Incorporated
- MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SI3464DV-T1-BE3
- si3464dv.t1.be3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SIHF9Z24STRR-GE3
- sihf9z24strr.ge3
- Vishay Siliconix
- MOSFET P-CHANNEL 60V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IAUA250N04S6N007AUMA1
- iaua250n04s6n007auma1
- Infineon Technologies
- MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PJQ4441P_R2_00001
- pjq4441p.r2.00001
- Panjit International Inc.
- 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК