Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
FDD4685-F085
- fdd4685.f085
- onsemi, Fairchild Semiconductor
- MOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB80P03P4L07ATMA2
- ipb80p03p4l07atma2
- Infineon Technologies
- MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQJ850EP-T2_GE3
- sqj850ep.t2.ge3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN6068SEQ-13
- dmn6068seq.13
- Diodes Incorporated
- MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA32P20T-TRL
- ixta32p20t.trl
- IXYS
- MOSFET P-CH 200V 32A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT8065BVFRG
- apt8065bvfrg
- Microchip Technology, Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 800V 13A TO247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9Y1R3-40HX
- buk9y1r3.40hx
- Nexperia
- BUK9Y1R3-40H/SOT669/LFPAK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MSJU07N65A-TP
- msju07n65a.tp
- Micro Commercial Co
- N-CHANNEL MOSFET, DPAK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJW3N10A_R2_00001
- pjw3n10a.r2.00001
- Panjit International Inc.
- 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2377EDS-T1-BE3
- si2377eds.t1.be3
- Vishay Siliconix
- P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
R6015ENXC7G
- r6015enxc7g
- Rohm Semiconductor
- 600V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJQ5443-AU_R2_000A1
- pjq5443.au.r2.000a1
- Panjit International Inc.
- 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IAUC100N10S5L054ATMA1
- iauc100n10s5l054atma1
- Infineon Technologies
- MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N7002LT7H
- 2n7002lt7h
- onsemi
- MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMT1D3N08B
- fdmt1d3n08b
- onsemi
- MOSFET N-CH 80V 164A 8DL COOL88
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJD40N06A-AU_L2_000A1
- pjd40n06a.au.l2.000a1
- Panjit International Inc.
- 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJQ4441P-AU_R2_000A1
- pjq4441p.au.r2.000a1
- Panjit International Inc.
- 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTT3N200P3HV
- ixtt3n200p3hv
- Littelfuse Inc.
- MOSFET N-CH 2000V 3A TO268
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NDS355AN-NB9L007A
- nds355an.nb9l007a
- Fairchild Semiconductor
- NDS355AN - N-CHANNEL LOGIC LEVEL
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPW65R080CFDFKSA2
- ipw65r080cfdfksa2
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК