Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
SSM6K810R,LF
- ssm6k810r.lf
- Toshiba Semiconductor and Storage
- SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=10
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA70N075T2-TRL
- ixta70n075t2.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 75V 70A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQA440CEJW-T1_GE3
- sqa440cejw.t1.ge3
- Vishay Siliconix
- AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN2451UFB4-7B
- dmn2451ufb4.7b
- Diodes Incorporated
- MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN2451UFB4Q-7R
- dmn2451ufb4q.7r
- Diodes Incorporated
- MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTA36N30P-TRL
- ixta36n30p.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 300V 36A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIHFBC40AS-GE3
- sihfbc40as.ge3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CHANNEL 600V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD18DP10LMATMA1
- ipd18dp10lmatma1
- Infineon Technologies
- TRENCH >=100V PG-TO252-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXFN90N170SK
- ixfn90n170sk
- IXYS
- SICFET N-CH 1700V 90A SOT227B
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
APT8030LVRG
- apt8030lvrg
- Microchip Technology, Microsemi-PPG
- MOSFET N-CH 800V 27A TO264
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQJ420EP-T1_BE3
- sqj420ep.t1.be3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SQ3419AEEV-T1_BE3
- sq3419aeev.t1.be3
- Vishay Siliconix
- P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMS7681
- fdms7681
- onsemi
- PT7 30/20V NCH ER TREN MO
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIHP25N50E-BE3
- sihp25n50e.be3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 500V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJW5N10A_R2_00001
- pjw5n10a.r2.00001
- Panjit International Inc.
- 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB320P10LMATMA1
- ipb320p10lmatma1
- Infineon Technologies
- TRENCH >=100V PG-TO263-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FCPF250N65S3L1
- fcpf250n65s3l1
- onsemi
- MOSFET N-CH 650V 12A TO220F-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
P3M07013K4
- p3m07013k4
- PN Junction Semiconductor
- SICFET N-CH 750V 140A TO-247-4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJQ4463AP-AU_R2_000A1
- pjq4463ap.au.r2.000a1
- Panjit International Inc.
- 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPD11DP10NMATMA1
- ipd11dp10nmatma1
- Infineon Technologies
- TRENCH >=100V PG-TO252-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК