Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
NVMFS5C410NWFAFT1G
- nvmfs5c410nwfaft1g
- onsemi
- MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1STWA72N60DM2AG
- stwa72n60dm2ag
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 66A TO247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDS8433A-G
- fds8433a.g
- Fairchild Semiconductor
- FDS8433A - MOSFET 20V 47.0 MOHM
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1APT34M60S/TR
- apt34m60s.tr
- Microchip Technology
- MOSFET N-CH 600V 36A D3PAK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SIRS700DP-T1-GE3
- sirs700dp.t1.ge3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DI070P04PQ-AQ
- di070p04pq.aq
- Diotec Semiconductor
- MOSFET 40V 70A P 46W
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DI070P04PQ
- di070p04pq
- Diotec Semiconductor
- MOSFET 40V 70A P 46W
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DMG3415U-13
- dmg3415u.13
- Diodes Incorporated, DIODES [Diodes Incorporated]
- MOSFET P-CH DFN-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1MCH3405-TL-E
- mch3405.tl.e
- onsemi, GLENAIR
- NCH 1.8V DRIVE SERIES
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IPB65R075CFD7AATMA1
- ipb65r075cfd7aatma1
- Infineon Technologies
- AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFA180N10T2-TRL
- ixfa180n10t2.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DMN3110SQ-7
- dmn3110sq.7
- Diodes Incorporated
- MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXFH6N100F
- ixfh6n100f
- IXYS, IXYS [IXYS Corporation]
- MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1RXH090N03TB1
- rxh090n03tb1
- Rohm Semiconductor
- 4V DRIVE NCH MOSFET: MOSFETS ARE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1GPIHV30DFN
- gpihv30dfn
- GaNPower
- GANFET N-CH 1200V 30A DFN8X8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTA80N075L2-TRL
- ixta80n075l2.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 75V 80A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1BUK9M67-60ELX
- buk9m67.60elx
- Nexperia USA Inc.
- SINGLE N-CHANNEL 60 V, 44 MOHM L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1GCMS080B120S1-E1
- gcms080b120s1.e1
- SemiQ
- SIC 1200V 80M MOSFET & 10A SBD S
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IPP040N06NF2SAKMA1
- ipp040n06nf2sakma1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IPD088N06N3GATMA1
- ipd088n06n3gatma1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК