Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
SQM200N04-1M8_GE3
- sqm200n04.1m8.ge3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FQD5N50CTM-WS
- fqd5n50ctm.ws
- onsemi
- MOSFET N-CHANNEL 500V 4A TO252
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPW65R018CFD7XKSA1
- ipw65r018cfd7xksa1
- Infineon Technologies
- 650 V COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MCAC95N065Y-TP
- mcac95n065y.tp
- Micro Commercial Co
- MOSFET N-CH DFN5060
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4C10NAT3G
- ntmfs4c10nat3g
- onsemi
- MOSFET N-CH 30V 16.4A/46A 5DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4C10NBT3G
- ntmfs4c10nbt3g
- onsemi
- MOSFET N-CH 30V 16.4A/46A 5DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIHP28N65E-GE3
- sihp28n65e.ge3
- VISHAY, Vishay Semiconductors
- MOSFET N-CH 650V 29A TO220AB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SCT4036KW7HRTL
- sct4036kw7hrtl
- Rohm Semiconductor
- 1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMTH84M1SPSQ-13
- dmth84m1spsq.13
- Diodes Incorporated
- MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPW65R110CFDFKSA1
- ipw65r110cfdfksa1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IMW65R057M1HXKSA1
- imw65r057m1hxksa1
- Infineon Technologies
- SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDD5N50FTM-WS
- fdd5n50ftm.ws
- onsemi, Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW70N65M2
- stw70n65m2
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPB65R310CFDATMA2
- ipb65r310cfdatma2
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 11.4A TO263-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9M20-60ELX
- buk9m20.60elx
- Nexperia USA Inc.
- SINGLE N-CHANNEL 60 V, 13 MOHM L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BUK9M31-60ELX
- buk9m31.60elx
- Nexperia USA Inc.
- SINGLE N-CHANNEL 60 V, 21 MOHM L
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVDS015N15MCT4G
- nvds015n15mct4g
- onsemi
- PTNG 150V 15MOHM DPAK AUTOMOTIVE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDB8860-F085
- fdb8860.f085
- onsemi, Fairchild Semiconductor
- FDB8860 - N-CHANNEL LOGIC LEVEL
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STF20N90K5
- stf20n90k5
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 900V 20A TO220FP
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJS6404_S1_00001
- pjs6404.s1.00001
- Panjit International Inc.
- 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК