Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
RXH100N03TB1
- rxh100n03tb1
- Rohm Semiconductor
- 4V DRIVE NCH MOSFET: MOSFETS ARE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SK3814-Z-E1-AZ
- 2sk3814.z.e1.az
- Renesas Electronics Corporation, NEC ELECTRONICS INC
- MP-3 AL
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TP65H070LDG-TR
- tp65h070ldg.tr
- Transphorm
- 650 V 25 A GAN FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TP65H035G4WSQA
- tp65h035g4wsqa
- Transphorm
- 650 V 46.5 GAN FET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMPB07R3ENAX
- pmpb07r3enax
- Nexperia USA Inc.
- SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTP12N65X2M
- ixtp12n65x2m
- IXYS
- MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJQ4401P_R2_00001
- pjq4401p.r2.00001
- Panjit International Inc.
- 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPA050N10NM5SXKSA1
- ipa050n10nm5sxksa1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 66A TO220
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NXV100XPR
- nxv100xpr
- Nexperia USA Inc.
- NXV100XP/SOT23/TO-236AB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI3440ADV-T1-BE3
- si3440adv.t1.be3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJL9410_R2_00001
- pjl9410.r2.00001
- Panjit International Inc.
- 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SCT2450KEGC11
- sct2450kegc11
- Rohm Semiconductor
- 1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PH3030AL,115
- ph3030al.115
- Nexperia USA Inc., NXP Semiconductors
- MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SSM6K809R,LXHF
- ssm6k809r.lxhf
- Toshiba Semiconductor and Storage
- AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVB110N65S3F
- nvb110n65s3f
- onsemi
- MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
G12P04K
- g12p04k
- Goford Semiconductor
- P40V,RD(MAX)<35M@-10V,RD(MAX)<45
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2342DS-T1-BE3
- si2342ds.t1.be3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 8-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2306BDS-T1-BE3
- si2306bds.t1.be3
- Vishay / Siliconix
- N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IPTG025N10NM5ATMA1
- iptg025n10nm5atma1
- Infineon Technologies
- TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IST026N10NM5AUMA1
- ist026n10nm5auma1
- Infineon Technologies
- TRENCH >=100V PG-HSOF-5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК