Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
AOSP21357
- aosp21357
- ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR, Alpha & Omega Semiconductor
- MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS6H800NLT1G
- ntmfs6h800nlt1g
- onsemi
- MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NVBG060N090SC1
- nvbg060n090sc1
- onsemi
- MOSFET N-CH 900V 5.8/44A D2PAK-7
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
P3M171K0K3
- p3m171k0k3
- PN Junction Semiconductor
- SICFET N-CH 1700V 6A TO-247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
6BP16-2
- 6bp16.2
- Analog Devices Inc., ANALOG DEVICES
- 6BP16 - 16 CHAN BP W RS-232
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SIHB055N60EF-GE3
- sihb055n60ef.ge3
- Vishay Siliconix
- EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IQE030N06NM5CGATMA1
- iqe030n06nm5cgatma1
- Infineon Technologies
- TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTBLS1D1N08H
- ntbls1d1n08h
- onsemi
- MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STW75NF30AG
- stw75nf30ag
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 300V 60A TO247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IMW65R030M1HXKSA1
- imw65r030m1hxksa1
- Infineon Technologies
- SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
P3M171K0G7
- p3m171k0g7
- PN Junction Semiconductor
- SICFET N-CH 1700V 7A TO-263-7
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SI2374DS-T1-BE3
- si2374ds.t1.be3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FDMS86163P-23507X
- fdms86163p.23507x
- onsemi
- FET -100V 22.0 MOHM PQFN56
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IMZA65R030M1HXKSA1
- imza65r030m1hxksa1
- Infineon Technologies
- SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IMZA65R039M1HXKSA1
- imza65r039m1hxksa1
- Infineon Technologies
- SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IMZA65R057M1HXKSA1
- imza65r057m1hxksa1
- Infineon Technologies
- SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
IXTY08N100D2-TRL
- ixty08n100d2.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJL9415_R2_00001
- pjl9415.r2.00001
- Panjit International Inc.
- 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4C822NAT1G
- ntmfs4c822nat1g
- onsemi
- TRENCH 6 30V NCH
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFS4C822NAT3G
- ntmfs4c822nat3g
- onsemi
- TRENCH 6 30V NCH
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК