Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Всего товаров: 1864
FCH110N65F-F155
- fch110n65f.f155
- Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXTA1R4N120P-TRL
- ixta1r4n120p.trl
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SQJ160EP-T1_GE3
- sqj160ep.t1.ge3
- Vishay Siliconix
- AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1NVMFS5C410NWFAFT3G
- nvmfs5c410nwfaft3g
- onsemi
- MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1C3M0075120J-TR
- c3m0075120j.tr
- Wolfspeed, Inc.
- SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IAUC100N08S5N031ATMA1
- iauc100n08s5n031atma1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-34
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PJS6421-AU_S1_000A1
- pjs6421.au.s1.000a1
- Panjit International Inc.
- 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SQS462EN-T1_BE3
- sqs462en.t1.be3
- Vishay Siliconix
- N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DMPH4013SPS-13
- dmph4013sps.13
- Diodes Incorporated
- MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SQJ409EP-T1_BE3
- sqj409ep.t1.be3
- Vishay Siliconix
- P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1PJQ5443_R2_00001
- pjq5443.r2.00001
- Panjit International Inc.
- 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IPW65R150CFDFKSA2
- ipw65r150cfdfksa2
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DMTH61M8LPSQ-13
- dmth61m8lpsq.13
- Diodes Incorporated
- MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FDP053N08B-F102
- fdp053n08b.f102
- onsemi / Fairchild, Fairchild Semiconductor
- MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1DMTH10H005LCT
- dmth10h005lct
- Diodes Incorporated
- MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1R6020ENZ4C13
- r6020enz4c13
- Rohm Semiconductor
- MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1G7P03S
- g7p03s
- Goford Semiconductor
- P30V,RD(MAX)<22M@-10V,RD(MAX)<33
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IPB330P10NMATMA1
- ipb330p10nmatma1
- Infineon Technologies
- TRENCH >=100V PG-TO263-3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1NTTFS012N10MDTAG
- nttfs012n10mdtag
- onsemi
- PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET, U8
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1SI3433CDV-T1-BE3
- si3433cdv.t1.be3
- Vishay Siliconix
- P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные полевые транзисторы (FET) и металлооксидные полевые транзисторы (MOSFET) представляют собой полупроводниковые устройства, используемые для управления и усиления электрических сигналов. FET и MOSFET отличаются высокой входной импедансой и малым уровнем шума, что делает их идеальными для применения в различных электронных схемах. Эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность работы.
Применение
Одиночные FET и MOSFET находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Силовая электроника: используются в инверторах, источниках питания и других устройствах для управления и стабилизации электрических сигналов.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.
Совместимость
Одиночные FET и MOSFET совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использование в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем управления и усиления. Благодаря своей универсальности, одиночные FET и MOSFET находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.
Одиночные FET и MOSFET широко применяются благодаря своей способности эффективно управлять потоками электрической энергии. Эти компоненты известны своей высокой надежностью и производительностью, что делает их незаменимыми в различных технологических решениях.
Изделия обладают такими преимуществами, как низкое сопротивление в открытом состоянии, высокая скорость переключения и способность справляться с перегрузками. Компактные размеры и легкость интеграции позволяют легко внедрять их в сложные схемы и конструкции, значительно улучшая работу систем.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК