Транзисторы - IGBT - одиночные
Всего товаров: 64
RGT50TS65DGC13
- rgt50ts65dgc13
- Rohm Semiconductor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1RGTH60TS65GC13
- rgth60ts65gc13
- Rohm Semiconductor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1RGTH60TS65DGC13
- rgth60ts65dgc13
- Rohm Semiconductor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1RGW00TS65HRC11
- rgw00ts65hrc11
- ROHM Semiconductor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1RGW00TS65EHRC11
- rgw00ts65ehrc11
- Rohm Semiconductor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IKN06N60RC2ATMA1
- ikn06n60rc2atma1
- Infineon Technologies
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IKN03N60RC2ATMA1
- ikn03n60rc2atma1
- Infineon Technologies
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IKN04N60RC2ATMA1
- ikn04n60rc2atma1
- Infineon Technologies
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1FGH40T65SQD_F155
- fgh40t65sqd.f155
- onsemi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1LGB8206ATI
- lgb8206ati
- Littelfuse Inc.
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1GT20N135SRA,S1E
- gt20n135sra.s1e
- Toshiba Semiconductor and Storage
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1RGT60TS65DGC13
- rgt60ts65dgc13
- Rohm Semiconductor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXYX110N120C4
- ixyx110n120c4
- IXYS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXYK110N120B4
- ixyk110n120b4
- IXYS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXYH55N120C4
- ixyh55n120c4
- IXYS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXYX110N120B4
- ixyx110n120b4
- IXYS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXYK110N120C4
- ixyk110n120c4
- IXYS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1IXYA20N120C3HV-TRL
- ixya20n120c3hv.trl
- IXYS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1GT40QR21(STA1,E,D
- gt40qr21.sta1.e.d
- TOSHIBA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1STGP30H65DFB2
- stgp30h65dfb2
- STMicroelectronics
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Одиночные транзисторы IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) сочетают в себе высокоэффективные характеристики полевых транзисторов (MOSFET) и высокую перегрузочную способность биполярных транзисторов. Это делает их идеальными для применения в областях, где требуется управление большими токами и/или высокими напряжениями.
Ключевые характеристики одиночных IGBT транзисторов включают:
- максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce). Максимальное напряжение, которое транзистор может выдержать между коллектором и эмиттером;
- максимальный ток коллектора (Ic). Максимальный ток, который может протекать через коллектор транзистора;
- напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)): Минимальное напряжение между коллектором и эмиттером при полном открытии транзистора;
- время выключения (tf): Время, необходимое транзистору для перехода из проводящего состояния в непроводящее.
Применение одиночных IGBT транзисторов
Одиночные IGBT транзисторы широко используются в различных приложениях:
- преобразователи мощности. В инверторах, преобразующих постоянный ток в переменный, и в преобразователях частоты для управления скоростью двигателей;
- системы электропитания. В источниках бесперебойного питания (ИБП) и в высоковольтных источниках питания;
- электротранспорт. В системах управления двигателями электрических и гибридных автомобилей;
- индукционное нагревание и сварка. Для управления процессами, требующими высокой мощности и быстрого переключения.
Интеграция и использование
При интеграции одиночных IGBT транзисторов в электронные схемы важно учитывать их характеристики, чтобы обеспечить эффективное и надежное управление мощностью. Необходимо обеспечить адекватный теплоотвод, так как при управлении большими токами транзисторы могут генерировать значительное количество тепла.
Также важно учитывать характеристики управления затвором и подходящее драйверное устройство для IGBT, чтобы обеспечить правильное открытие и закрытие транзистора. Использование одиночных IGBT транзисторов позволяет разработчикам создавать высокоэффективные системы управления мощностью для широкого спектра промышленных и потребительских приложений, оптимизируя производительность и энергоэффективность устройств.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 18:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 18:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 18:00 МСК