Высокочастотные биполярные транзисторы
Всего товаров: 1247
2SC3937G0L
- 2sc3937g0l
- Panasonic - SSG
- TRANS NPN 10VCEO 80MA SMINI-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 6GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB @ 800MHz · Усиление: 13dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Ток коллектора (макс): 80mA · Ти
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC3934G0L
- 2sc3934g0l
- Panasonic - SSG
- TRANS NPN 12VCEO 30MA SMINI-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 4.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.5dB @ 800MHz · Усиление: 9dB ~ 12dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Ток коллектора
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC3932GTL
- 2sc3932gtl
- Panasonic - SSG
- TRANS NPN 20VCEO 50MA SMINI-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 1.6GHz · Усиление: 20dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC3932GSL
- 2sc3932gsl
- Panasonic - SSG
- TRANS NPN 20VCEO 50MA SMINI-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 1.6GHz · Усиление: 20dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC3931GCL
- 2sc3931gcl
- Panasonic - SSG
- TRANS NPN 20VCEO 15MA S-MINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 650MHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz · Усиление: 24dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Ток коллектора (макс): 15m
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC2839E-SPA-AC
- 2sc2839e.spa.ac
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- TRANS NPN 20V 30MA SPA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 320MHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz · Усиление: 25dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC2814-4-TB-E
- 2sc2814.4.tb.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- TRANS NPN 20V 30MA CP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 320MHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz · Усиление: 25dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SA1815-4-TB-E
- 2sa1815.4.tb.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- TRANS PNP 12V 50MA CP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 750MHz · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип м
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SA1790GCL
- 2sa1790gcl
- Panasonic - SSG
- TRANS PNP 20VCEO 30MA SSMINI-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 300MHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2.8dB @ 5MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SA1778-3-TB-E
- 2sa1778.3.tb.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- TRANS PNP 15V 50MA CP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 1.2GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2.5dB @ 400MHz · Усиление: 13dB · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min)
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SA1748GRL
- 2sa1748grl
- Panasonic - SSG
- TRANS PNP 50VCEO 50MA SMINI-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50m
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SA1669-TB-E
- 2sa1669.tb.e
- SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
- TRANS PNP 15V 50MA CP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 3GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2dB @ 900MHz · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFS 360L6 E6327
- bfs.360l6.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR NPN 6V 35MA TSLP-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.5dB @ 1.8GHz ~ 3GHz · Усиление: 14.5dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 210mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) ·
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFS 17W E6327
- bfs.17w.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR NPN RF 15V SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 2.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz · Мощность макcимальная: 280mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR 93AW E6327
- bfr.93aw.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 6GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 15.5dB ~ 10.5dB · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Ус
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR 92P E6327
- bfr.92p.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 16dB ~ 10.5dB · Мощность макcимальная: 280mW · Тип транзистора: NPN · Усилени
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR 380F E6327
- bfr.380f.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR RF NPN 6V TSFP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz · Усиление: 13.5dB ~ 9.5dB · Мощность макcимальная: 380mW · Тип транзистора: NPN · Усилени
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR 193 E6327
- bfr.193.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 15dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 580mW · Тип транзистора: NPN · Усиление
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR 183W E6327
- bfr.183w.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 18.5dB · Мощность макcимальная: 450мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление п
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BFR 182W E6327
- bfr.182w.e6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 19dB · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усиление пост
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Высокочастотные биполярные транзисторы (HF BJT) представляют собой полупроводниковые устройства, предназначенные для работы на высоких частотах. Эти транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения, высокую усилительную способность и низкие потери, что делает их идеальными для использования в радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложениях. Высокочастотные BJT транзисторы характеризуются высокой надежностью и стабильностью, что позволяет их применять в различных высокочастотных схемах.
Применение
Высокочастотные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Радиочастотные усилители: используются для усиления слабых РЧ сигналов в передатчиках и приемниках.
- Генераторы сигналов: применяются в схемах генерации высокочастотных сигналов для тестирования и измерений.
- Коммутационные схемы: используются для быстрого и эффективного переключения высокочастотных сигналов.
- Системы связи: включаются в схемы модуляции и демодуляции сигналов в телекоммуникационных устройствах.
- Микроволновые печи: применяются в устройствах для генерации микроволновых сигналов.
- Антенны и фильтры: используются в схемах согласования и фильтрации высокочастотных сигналов.
- Измерительные приборы: применяются в анализаторах спектра и других высокочастотных измерительных устройствах.
Высокочастотные биполярные транзисторы предоставляют инженерам и разработчикам мощный инструмент для управления и усиления сигналов в высокочастотных приложениях. Эти компоненты выделяются своей способностью работать на высоких частотах с минимальными потерями и высоким коэффициентом усиления. Их применение охватывает широкий спектр технологий, от телекоммуникаций до радиочастотных устройств и передающих систем.
Благодаря высокой скорости переключения и низкому уровню шума, высокочастотные биполярные транзисторы являются незаменимыми элементами в сложных электронных схемах. Они обеспечивают стабильную и надежную работу даже в самых требовательных условиях, что делает их идеальным выбором для критически важных приложений.
Компактный дизайн и возможность интеграции в различные схемы позволяют создавать более эффективные и производительные устройства, соответствующие высоким стандартам современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК